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C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs）

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

有效面积直径: 230μm/500μm 峰值灵敏度波长: 800nm/900nm 击穿电压: 120-210V/180-260V 温度系数: 0.5V/°C/1.3V/°C 增益: M@800nm/900nm

Excelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs）适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用，提供500nm至1000nm范围内的高响应度。

C30954EH, C30955EH, C30956EH Series 长波长增强硅雪崩光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

形状: Circular 封装: TO-5/TO-8 有用面积: 0.5/1.77/7mm2 有用直径: 0.8/1.5/3mm 名义视场: 110/104/135Degrees

Excelitas的C30954EH、C30955EH和C30956EH是采用双扩散“穿透”结构制成的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计使它们的长波响应（即>900nm）得到增强，同时保持低噪声、低电容以及快速上升和下降时间特性。

C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 响应度: 9.4A/W 工作增益: 10-20

Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs，提供高量子效率和低噪声的高响应度。

C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

活动直径: 80-200µm 击穿电压: 45-70V 工作点偏离击穿电压: 4.0V (C30662EH-1@ M=10) 温度系数: 0.14-0.20V/deg C 响应度: 9.3A/W

Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长，适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

C30927EH系列用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：Excelitas Technologies

有用面积: 1.77mm2 有用直径: 1.55mm 击穿电压: 350-485V 增益: 100 量子效率: 85%

C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管，采用双扩散“穿透”结构，优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区，因此在视线中心没有响应损失。

LabM-I-10.6 可编程红外探测模块

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

有源元件温度: 195K 截止波长(10%): 2.0µm 峰值波长: 8.0-10.0µm 最佳波长: 10.6µm 截止波长(10%): 12.0µm

LabM-I-10.6是基于HgCdTe TE冷却光学浸入光伏多结探测器的可编程红外探测模块。

32EM-5 series 32通道检测模块

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

检测模块类型: 32EM-5-01, 32EM-5-02 截止波长λcut-on(10%): ≤2.0µm, 3.7±0.2µm 峰值波长λpeak: 4.25±0.2µm, 4.75±0.2µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.6±0.2µm, 5.8±0.2µm

32EM-5 是一系列 32 通道检测模块。热电冷却的 MWIR 32 元件 HgCdTe 光伏探测器集成了 DC 耦合 32 通道跨阻放大器。

LabM-I-5 实验室红外探测模块

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

截止波长λcut-on(10%): 2.9±1.0µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.5µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.5±0.3µm 探测率D*: ≥1.4×1010cm·Hz1/2/W

LabM-I-5 是一款实验室红外探测模块，采用基于碲化镉汞异质结构的光学浸没式光电探测器，并集成了跨阻可编程前置放大器。3° 楔形蓝宝石窗口可防止不必要的干扰效应。要正确操作，需要可编程的 "智能 "VIGO 热电冷却器控制器 PTCC-01（单独出售）和智能管理软件（免费软件）。LabM-I-5 模块配有 PTCC-01 和智能管理器，是各种 MWIR 应用中原型设计和研发阶段的最佳解决方案。这套软件可灵活满足系统设计人员的不同需求。

PVI-2TE series 两级热电冷却红外光伏探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0, 3.4, 4.0, 5.0, 6.0, 8.0, 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×10^11, ≥6.0×10^11, ≥4.0×10^11, ≥2.0×10^11, ≥7.0×10^10, ≥4.0×10^9, ≥2.0×10^9 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥5.5×10^11, ≥3.0×10^11, ≥3.0×10^11, ≥9.0×10^10, ≥4.0×10^10, ≥2.0×10^9, ≥1.0×10^9 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.3, ≥1.3, ≥1.5, ≥0.8, ≥0.4

PVI-2TE系列是基于复杂HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器，经过光学浸没以改进设备参数。探测器在λopt处优化以达到最佳性能，反向偏置可显著提高响应速度和动态范围。

PV series 非制冷红外光伏探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×109 ≥7.0×109 ≥5.0×109 ≥2.0×109 ≥1.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥6.5×109 ≥5.0×109 ≥3.0×109 ≥1.0×109 ≥5.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5 ≥0.8 ≥1.0 ≥1.0 ≥1.0

PV系列采用基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器，具有最佳性能和稳定性。设备经过优化，在λopt处具有最大性能。截止波长可以根据要求进行优化。反向偏置可能显著增加响应速度和动态范围，并在高频下提高性能，但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。

PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36 红外探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

光谱范围: 2.0 to 13.8 µm 光学面积: 1 mm × 1 mm 冷却方式: 3TE 温度传感器: thermistor 探测器封装: TO8

PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一款HgCdTe三级TE冷却光学沉浸光导红外探测器，适用于FTIR光谱。具有2.0至13.8 µm的光谱范围和长期稳定性。

PCI series HgCdTe探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008

PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性，通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率（约0.9 µm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。

PVAS-5-0.1×0.1-TO39-NW-90 红外光伏探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

探测器类型: Type II superlattice 活性元件材料: epitaxial superlattice heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 1.6±0.2µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.3µm 截止波长λcut-off(10%): 6.2±0.2µm

PVAS-5-0.1×0.1-TO39-NW-90是一种Type II超晶格非制冷红外光伏探测器，具有优异的参数。该探测器不含汞或镉，符合RoHS指令，适用于科研和环境监测。

PC-2TE series 红外光电导探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0-13.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥2.0×1010-≥4.0×107cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥2.3×107cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.5-≥0.002A·mm/W

PC-2TE系列为基于复杂HgCdTe异质结构的双级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以实现最大性能，应在最佳偏压和电流读取模式下操作。低频性能由于1/f噪声而降低，1/f噪声角频率随截止波长增加。该款光电导探测器适用于红外成像、光谱分析、气体检测和热成像。

PV-3TE series 基于复杂HgCdTe异质结构的红外光伏探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 3.0µm, 3.4µm, 4.0µm, 5.0µm, 6.0µm, 8.0µm, 10.6µm 探测率D*(λpeak): ≥3.0×10^11cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥6.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^9cm·Hz1/2/W, ≥5.0×10^8cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt): ≥1.0×10^11cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^9cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8cm·Hz1/2/W, ≥1.5×10^8cm·Hz1/2/W 电流响应度Ri(λopt): ≥0.5A/W, ≥0.8A/W, ≥1.0A/W, ≥1.3A/W, ≥1.5A/W, ≥1.0A/W, ≥0.7A/W

PV-3TE系列特征为基于复杂HgCdTe异质结构的三阶段热电冷却红外光伏探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以获得最大性能。可根据要求优化截止波长。反向偏压可能显著提高响应速度和动态范围。它还可以改善高频性能，但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。3°楔形蓝宝石（wAl2O3）或锌硒化物抗反射涂层（wZnSeAR）窗口可防止不必要的干扰效应。

SM-I-12 小尺寸红外检测模块

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

有源元件温度: 210K 截止波长: 2.0µm 峰值波长: 10.0µm 最佳波长: 12.0µm 截止波长(10%): 13.8µm

SM-I-12是一款小尺寸红外检测模块，基于HgCdTe TE冷却光学浸没光电导探测器，适用于FTIR光谱学。

PVI series HgCdTe非制冷红外光伏探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0-6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥5.0×1010, ≥5.0×1010, ≥3.0×1010, ≥1.5×1010, ≥8.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥5.0×1010, ≥4.5×1010, ≥2.0×1010, ≥9.0×109, ≥4.0×109 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.0

PVI series特征为非制冷红外光伏探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性，通过光学浸没以改善设备参数。探测器针对λopt的最大性能进行了优化。可以根据要求优化截止波长。反向偏压可以显著提高响应速度和动态范围，也提高高频性能，但偏置设备中的1/f噪声可能会降低低频性能。，非制冷红外光伏探测器，适用于红外成像、光谱测量、环境监测和工业过程控制。

PV-4TE series 四级热电冷却红外光伏探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0, 3.4, 4.0, 5.0, 6.0, 8.0, 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥3.0×1011, ≥2.0×1011, ≥1.0×1011, ≥4.0×1010, ≥9.0×109, ≥5.0×108, ≥4.0×108 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥1.5×1011, ≥1.0×1011, ≥6.0×1010, ≥1.5×1010, ≥5.0×109, ≥4.0×108, ≥2.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.0, ≥1.3, ≥1.5, ≥1.5, ≥0.5

PV-4TE 系列产品具有四级热电冷却红外光伏探测器，基于复杂的 HgCdTe 异质结构，旨在提供最佳性能和稳定性。这些设备针对 λopt 达到最大性能进行了优化。切入波长可以根据需求进行优化。反向偏压可能显著增加响应速度和动态范围。它还提高了高频性能，但在有偏压的设备中出现的 1/f 噪声可能会降低低频性能。3° 楔形蓝宝石 (wAl2O3) 或锌硒化物抗反射镀膜 (wZnSeAR) 窗口可防止不必要的干扰效应。

PVA-3-1×1-TO39-NW-90 InAs室温光伏红外探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

光谱范围: 2.3 to 3.5 µm 探测器符号: PVA-3-1×1-TO39-NW-90 探测器类型: photovoltaic 活性元件材料: epitaxial InAs heterostructure 有效区域: 1 mm × 1 mm

PVA-3-1×1-TO39-NW-90是InAs室温光伏红外探测器，具有光谱范围2.3至3.5µm，探测率5.0×109至7.0×109cm·Hz1/2/W，适用于气体检测等应用。

PV-2TE series 红外光伏探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

探测器类型: PV-2TE-3 PV-2TE-3.4 PV-2TE-4 PV-2TE-5 PV-2TE-6 PV-2TE-8 PV-2TE-10.6 活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 8.0 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×10^11 ≥6.0×10^10 ≥4.0×10^10 ≥1.5×10^10 ≥5.0×10^9 ≥4.0×10^8 ≥2.0×10^8 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥7.0×10^10 ≥4.0×10^10 ≥3.0×10^10 ≥9.0×10^9 ≥2.0×10^9 ≥2.0×10^8 ≥1.0×10^8

PV-2TE系列具有两级热电冷却红外光伏探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，提供最佳性能和稳定性。设备针对最大性能进行了优化，λopt可根据需求优化。反向偏压可显著提高响应速度和动态范围，在高频下性能更佳，但在低频下可能会因1/f噪声降低性能。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)或锌硒化物抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰效应。