C30954EH, C30955EH, C30956EH Series 长波长增强硅雪崩光电二极管

分类：光电二极管

厂家： Excelitas Technologies

产地：美国

型号： C30954EH | C30955EH | C30956EH

更新时间： 2024-08-30 04:05:31

标签：

激光雷达测距高量子效率硅雪崩光电二极管激光检测

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概述

Excelitas的C30954EH、C30955EH和C30956EH是采用双扩散“穿透”结构制成的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计使它们的长波响应（即>900nm）得到增强，同时保持低噪声、低电容以及快速上升和下降时间特性。

参数

形状 / Shape : Circular
封装 / Package : TO-5/TO-8
有用面积 / Useful Area : 0.5/1.77/7mm2
有用直径 / Useful Diameter : 0.8/1.5/3mm
名义视场 / Nominal Field Of View α : 110/104/135Degrees
击穿电压 / Breakdown Voltage Vbr : 300-475/315-490/325-500V
温度系数 / Temperature Coefficient Of Vop For Constant M : 2.4V/°C
增益 / Gain M : 120/100/75
响应度 / Responsivity At 900nm : 65-75/55-70/36-45A/W
响应度 / Responsivity At 1060nm : 30-36/26-34/20-25A/W
量子效率 / Quantum Efficiency At 1060nm : 36-40%
暗电流 / Total Dark Current Id : 50-100/100-200/100-200nA
噪声电流 / Noise Current In : 1-2/1-2/1.1-2.2pA/√Hz
电容 / Capacitance Cd : 2-4/3-5/10-12pF
串联电阻 / Series Resistance Rs : 15Ω
上升/下降时间 / Rise/Fall Time : 2-3/2-3.5/2-3.5ns

应用

1.测距 2.LIDAR 3.YAG激光探测

特征

1.在1060nm处高量子效率 2.快速响应时间 3.宽操作温度范围 4.密封封装

详述

C30954EH, C30955EH, C30956EH Series 长波长增强硅雪崩光电二极管的产品图片

/nExcelitas Technologies的C30954EH, C30955EH和C30956EH系列硅雪崩光电二极管，采用双扩散“透过”结构，增强了其在1060nm波长下的量子效率，最高可达40%。这些光电二极管还保持了低噪声、低电容和快速的上升和下降时间特性。标准版本采用气密封装的平顶玻璃TO-5和TO-8封装，适用于不同面积的光敏表面。除了标准版本外，这些Si APD还可提供高性能混合前置放大器模块和TE冷却封装模块，满足各种设计需求。