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MIOC-1550-18-SB系列 光纤陀螺仪 光学芯片
厂家：Optilab
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MIOC-1550-22-BC系列 光纤陀螺仪 光学芯片
厂家：Optilab
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IM-1550-20-P系列 20GHz强度调制器
厂家：Optilab
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IM-1550-20系列 20GHz强度调制器
厂家：Optilab
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Q1058C-SFxxL-H AO Q-SWITCH
厂家：Isomet Corp
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光纤调制器：高速强度调制器和光开关
厂家：AeroDIODE
光电查为您提供70个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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分类：电光调制器(EOM)孔径: 3.6mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 波长范围: 190 - 3500 nm 变速箱: 98% 消光比: >= 1000:1BBO普克尔盒BBO电光晶体的普克尔盒用于改变通过它的光的偏振态，当电压施加到BBO电光晶体的电极上时。典型的应用包括激光腔的Q开关、激光腔倒空和将光耦合到再生放大器中。低压电振铃使得BBO普克尔盒对于高功率和高重复率激光器的控制具有吸引力。与电池适当匹配的快速开关电子驱动器可用于Q开关、腔倒空和其他应用。BBO普克尔盒是横向场器件。四分之一波电压与电极间距和晶体长度的比例成正比，因此，较小的孔径，较低的四分之一波电压，此外，具有较低四分之一波电压的双晶体设计被广泛用于工作在具有快速开关时间的半波模式。优点-紧凑的尺寸-低吸收-较小压电环-
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分类：电光调制器(EOM)孔径: 50mm 峰值光功率密度: 700MW/cm^2 波长范围: 300 - 1100 nm 变速箱: 97% 消光比: >= 1000:1DKDP普克尔盒DKDP电光Q开关（Q-Switch，Pockels Cell）因其独特的物理特性和优良的光学质量而被广泛应用于大口径、高功率、窄脉冲（1Ons）激光系统中，DKDP晶体是一种具有优良光学质量的单轴晶体，其消光比为2000：1（使用632 nm He-Ne激光器测量），波前畸变为98%。DKDP电光调Q电容小（约3-5pF），因此上升时间短（0.5ns），调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光，与市场上广泛使用的电光晶体相比，具有更高的损伤阈值；在10ns脉宽、1064nm波长和10Hz重复频率的光学条件下，损伤阈值为1GW/cm2。优点-波前失真：低电容-上升时间短：~3pF-高透光率：98%-高损伤阈值：1GW/cm2-无静态双折射，无光折变损伤-抗反射涂层石英窗-耐环境温度冲击和优异的电光性能
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分类：电光调制器(EOM)孔径: 10 &12mm 峰值光功率密度: 850MW/cm^2 波长范围: 532 - 1350 nm 变速箱: 98% 消光比: >= 1000:1LaserMetrics Q1059P电光调制器/Q开关许多激光器中都使用了电光器件世界范围的系统。1059P系列起源于在1970年，并已不断升级和改善了。他们将容纳较多要求高峰值功率的激光应用。所有该系列中的型号采用增强的内部晶体支持和卓越的密封系统。这些设备采用了较高质量晶体、熔石英窗口和高损伤阈值减反射涂层Q1059P系列的E-O性能基于高度氘化（98+%D，二氘化钾磷酸盐（称为DKDP或KD*P）晶体，选择无应变和条纹，较低残余双折射和波前畸变。A圆柱环形电极-晶体结构产生较均匀的延迟场目前可用。水晶安装在耐用的和机械稳定的热塑性外壳。使用不锈钢或陶瓷孔板在所有型号中。窗户是无气泡和无应变的具有高效率抗反射的熔融石英涂料。溶胶凝胶减反射涂层应用于较高峰值和平均功率的晶体应用程序。溶胶凝胶涂料是非常效率高，反射损失约为0.05%.溶胶-凝胶涂层的损伤阈值为至少与KD*P晶体材料一样高而溶胶-凝胶晶体涂层在很大程度上取代了折射率匹配液（IMF），用于通过在IR附近，这些涂层在UV中是无效的400 nm以下的范围。对于UV应用，当IMF需要较大限度地减少反射损失窗口-晶体接口，我们推荐我们的1040系列-包括以下型号：孔径为10至20毫米。
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分类：电光调制器(EOM)孔径: 16 &20mm 峰值光功率密度: 850MW/cm^2 波长范围: 532 - 1064 nm 变速箱: 97.5% 消光比: >= 1000:1型号CF1043-16和CF1043-20泡克细胞是较小细胞的较大孔径版本1040系列普克尔盒中的孔径器件光调制器。它们是为用较大直径操作，激光束高速快门和脉冲斩波器应用激光腔的外部或内部。他们也是用作Q开关、空腔转储器和偏振旋转器基本的机械设计是被配置为接受各种连接设备以满足大多数系统要求。基本上是电容性阻抗，它们可以指定有各种电气连接至便于连接不同的电子设备司机。低电感、宽铜片引线从而使器件的RC和L/R时间常数较小允许切换时间快至350皮秒微型香蕉别针（CF样式）或别针螺纹螺钉和螺母连接适用于直接连接到印刷电路板驱动器。同轴连接器，如N、BNC、HN、MHV和用于电缆阻抗匹配的SHV型连接器都是可用的。用于电容性或源端接使用时，TAB引线位于一侧，而“直通式”配置，输入匹配和输出铜片引线，用于负载终止的应用程序。
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工作波长: 1528.773 - 1566.314 通道间距: 100GHz 通道数量: 16, 32, 40 and 48 波长稳定性: ± 0.05nm 通道通带: ± 0.10nmACPhotonics的Athermal AWG（AAWG）产品采用硅基平面技术，具有高性能和可靠性，可用于一般DWDM系统。基于无热设计和封装，它是完全被动的产品，不需要任何电力或温度控制。对于100G AAWG Mux/Demux，它支持基于单个芯片组的高达48通道，提供高斯或平顶轮廓作为选项。适用于电信和接入网络。
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孔径: 25mm 峰值光功率密度: 200MW/cm^2 波长范围: 633 - 633 nm 消光比: >= 10:1G&H电光Q开关采用了目前较高光学质量的铌酸锂。铌酸锂的电光效应使其非常适用于包括Nd：YAG、Nd：YAlO、Nd：YLF和Er：YLF在内的几种激光器类型的普克尔盒调Q。铌酸锂Q开关用于军事和商业应用，包括目标指示、测距和眼科手术。我们的晶体提供低损耗、高对比度和低波前失真，并且适合在300 MW/cm2下使用。我们的电光LN Q开关的温度稳定（TS和XTS）版本允许在宽温度范围内工作，同时保持出色的对比度。
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孔径: 3mm 峰值光功率密度: 1000MW/cm^2 波长范围: 1047 - 1064 nm 变速箱: 99.6% 消光比: Not SpecifiedQ开关24MHz，4mm剪切，带刺配件
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孔径: 3mm 峰值光功率密度: 1000MW/cm^2 波长范围: 1047 - 1064 nm 变速箱: 99.6% 消光比: Not Specified
Q开关24MHz，4mm剪切，螺纹接头
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孔径: 3mm 峰值光功率密度: 1000MW/cm^2 波长范围: 1047 - 1064 nm 变速箱: 99.6% 消光比: Not SpecifiedQ开关27MHz，3mm剪切，带刺配件
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孔径: 4mm 峰值光功率密度: 1000MW/cm^2 波长范围: 1047 - 1064 nm 变速箱: 99.6% 消光比: Not Specified
Q开关27MHz，4mm剪切，6mm Ra推动配件，公制安装
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孔径: 3-30mm 峰值光功率密度: 1000MW/cm^2 波长范围: 400 - 1200 nm 变速箱: 98% 消光比: >= 1000:1KD*P（磷酸二氘钾）由于其优异的电光特性而成为电光应用中较广泛使用的材料，当施加的电压引起晶体中的双折射变化时，诸如KD*P的电光材料可以改变通过它的光的偏振状态，当与偏振器结合使用时，KD*P普克尔盒可用作产生激光脉冲的光学Q开关。KD*P用于从UV到约1.1µm的应用，其中吸收限制了其在有源腔中的使用，尽管当可以容忍几个百分点的吸收时，它可以在更长的波长下使用。
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孔径: 2-8mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 波长范围: 500 - 3000 nm 变速箱: 98.5% 消光比: >= 100:1RTP（磷酸钛氧铷-RbTiOPO4）是电光调制器和Q开关非常理想的晶体材料。由于它的自然双折射，它总是成对工作，仔细匹配以补偿双折射。激光沿X轴或y轴传播，沿输入面的对角线偏振，并在第二晶体中旋转90°。然后，先进晶体中的慢射线变成第二晶体中的快射线，因此理论上在晶体对中消除了总的静态双折射。RTP较适合于中等平均功率的激光源，其中高重复率和短Q开关脉冲长度比高平均功率更重要。
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波长范围: 400 - 700 nm 消光比: Not Specified低电压版本：25+GBaud I/Q调制器。
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孔径: 5mm 波长范围: 400 - 700 nm 消光比: Not Specified1x1，1x2，低Vπ紧凑型X切割调制器。
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孔径: 1.0mm 峰值光功率密度: 250MW/cm^2 波长范围: 1 - 1 nm 变速箱: 85% 消光比: < 10:1Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率，以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时，在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度，AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域，要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。
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孔径: 1.0-1.5mm 峰值光功率密度: 300MW/cm^2 波长范围: 1 - 1 nm 变速箱: 85% 消光比: < 10:1
Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率，以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时，在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度，AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域，要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。
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孔径: 1.5mm 峰值光功率密度: 300MW/cm^2 波长范围: 1 - 1 nm 变速箱: 80% 消光比: < 10:1Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率，以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时，在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度，AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域，要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。
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峰值光功率密度: 300MW/cm^2 波长范围: 1064 - 1064 nm 消光比: >= 10:1Deltronic Crystal的铌酸锂具有优异的光学传输和高电光系数，是普克尔盒Q开关的理想选择。晶体被生长、定向和切割以提供Z轴光学传播。Q开关元件经过抛光、电镀和抗反射涂层，可用于激光腔安装。尺寸和形状可以定制，以满足定制设备的要求。
