BBO Pockles Cell

孔径: 3-30mm 峰值光功率密度: 1000MW/cm^2 波长范围: 400 - 1200 nm

KD*P（磷酸二氘钾）由于其优异的电光特性而成为电光应用中较广泛使用的材料，当施加的电压引起晶体中的双折射变化时，诸如KD*P的电光材料可以改变通过它的光的偏振状态，当与偏振器结合使用时，KD*P普克尔盒可用作产生激光脉冲的光学Q开关。KD*P用于从UV到约1.1µm的应用，其中吸收限制了其在有源腔中的使用，尽管当可以容忍几个百分点的吸收时，它可以在更长的波长下使用。

孔径: 2-8mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 波长范围: 500 - 3000 nm

RTP（磷酸钛氧铷-RbTiOPO4）是电光调制器和Q开关非常理想的晶体材料。由于它的自然双折射，它总是成对工作，仔细匹配以补偿双折射。激光沿X轴或y轴传播，沿输入面的对角线偏振，并在第二晶体中旋转90°。然后，先进晶体中的慢射线变成第二晶体中的快射线，因此理论上在晶体对中消除了总的静态双折射。RTP较适合于中等平均功率的激光源，其中高重复率和短Q开关脉冲长度比高平均功率更重要。

孔径: 50mm 峰值光功率密度: 700MW/cm^2 波长范围: 300 - 1100 nm

DKDP普克尔盒DKDP电光Q开关（Q-Switch，Pockels Cell）因其独特的物理特性和优良的光学质量而被广泛应用于大口径、高功率、窄脉冲（1Ons）激光系统中，DKDP晶体是一种具有优良光学质量的单轴晶体，其消光比为2000：1（使用632 nm He-Ne激光器测量），波前畸变为98%。DKDP电光调Q电容小（约3-5pF），因此上升时间短（0.5ns），调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光，与市场上广泛使用的电光晶体相比，具有更高的损伤阈值；在10ns脉宽、1064nm波长和10Hz重复频率的光学条件下，损伤阈值为1GW/cm2。优点-波前失真：低电容-上升时间短：~3pF-高透光率：98%-高损伤阈值：1GW/cm2-无静态双折射，无光折变损伤-抗反射涂层石英窗-耐环境温度冲击和优异的电光性能

孔径: 19mm 峰值光功率密度: 500MW/cm^2 波长范围: 240 - 1400 nm

定制普克尔盒