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电容
Capacitance（pF）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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S-200CL
厂家：OSI Optoelectronics
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PD1300-35T52
厂家：Ushio Inc.
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FCI-InGaAs-500
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
光电查为您提供1692个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 750 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W
来自OSI Optoelectronics.的S-200CL是波长范围为970 nm、电容为750 PF、暗电流为1200 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。
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冷却方式: 2TE 有效区域: Φ300μm - Φ3000μm 最大热负载功率: 0.93W 最大负载电流: 1A 最大负载电压: 2VGESTIN-2TE-TO8系列是由P-I-N结构InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器和双级热电冷却器（2TE）组成，采用TO封装形式。
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芯片有效直径: 300μm至3000μm 光谱响应: 900nm至2700nm 高旁路电阻: 高灵敏度 内置TEC: 是GESTIN-2TE-TO8系列是高灵敏度InGaAs探测器，适用于NIR传感、LED特性测试及医疗诊断等领域。
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芯片有效直径: 300μm to 3000μm 光谱响应: 900nm to 2700nm 高旁路电阻: 高灵敏度 TEC内部构建: 是 最大热负载功率: 0.93WGESTIN-2TE-TO8系列是高灵敏度的InGaAs探测器，适用于NIR传感、LED/LD特性测试等多种应用。
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冷却方式: 2TE 有效区域: Φ300μm-Φ3000μm 测试光谱: 900-2700nm 最大热负载功率: 0.93W 最大负载电流: 1AGESTIN-2TE-TO8系列是一款高性能InGaAs探测器，适用于NIR传感、LED/LD特性测试及医疗诊断等领域。
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冷却方式: 2TE 有效区域: Φ300μm - Φ3000μm 暗电流: 0.1 - 10 测试光谱范围: 900 - 2700 最大热负载功率: 0.93GESTIN-2TE-TO8系列InGaAs光电二极管是一款高灵敏度的探测器，适用于NIR传感、LED/LD特性测试、光谱学和医疗诊断等应用。
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有效直径: 1.0-5.0mm 截止波长: 1.0-1.7um 峰值波长(典型): 1.0±0.1-1.7±0.1um 响应度@λP(最小/典型): 0.8/0.9-0.9/1.0 A/W 分流电阻(最小/典型): 10K/20K-50K/100K ΩExtended InGaAs Photodiodes是一款高性能的光电探测器，适用于气体监测、火焰检测等应用，具有优异的响应性和灵活的封装选项。
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有效直径: 0.5-1.0 mm 截止波长[nm]: 1.7±0.1 μm 峰值波长(典型): 1.55±0.05 μm 响应度@λP(最小/典型): 0.5/0.8 A/W 分流电阻(最小/典型): 1K/10K ΩPL系列扩展InGaAs光电二极管是一款高性能光电探测器，适用于气体检测、光谱学等多种应用，具有较长的截止波长和优异的响应性。
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有效直径: 0.5-1.0 mm 峰值波长(典型): 1.0±0.1 um 截止波长(90%): 1.0±0.1 um 响应度@λP(最小/典型): 0.5/0.8 A/W 分流电阻(最小/典型): 10K/20K ΩPL系列扩展InGaAs光电二极管，适用于气体监测、光谱学等应用，具有高响应性和优异的并联电阻。
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有效直径: 1.5-3mm 截止波长: 1.0-1.5um 高并联电阻: ≥10KΩ 多镜头: 双凸透镜、平凸透镜或球面透镜 封装: TO-5, TO-8或TO-9PL系列扩展InGaAs光电二极管，适用于气体传感监测、火焰检测等应用，具备高响应性和并联电阻。
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有效直径: 1.0-3.0 截止波长[nm]: 1.0-2.0 峰值波长(典型): 1.0±0.1 响应度@λP(最小/典型): 0.5/0.8 分流电阻(最小/典型): 1K/10KPL系列扩展InGaAs光电二极管，具备高响应度和广泛应用于气体检测、光谱学等领域的能力。
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差分响应度: 1.2mV/µW 单端响应度: 0.6mV/µW 小信号带宽: 2.5GHz 低频截止: 15kHz 上升/下降时间: 135psTMC-8D55-701是一款优化用于光纤应用的4.25Gbps GaAs PIN放大器，具备高响应度和小信号带宽，广泛应用于数据中心和高速网络。
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上升/下降时间: 50ps PD监测电流: 800uA PD暗电流: 0.1uA PD电容: 10pF 焦距: 6.1mmTME-3F49-381是一款10Gbps 1310nm FP激光二极管，适用于高速光通信应用。
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正向电压: 1.6-1.8-2.1 V 击穿电压: 5-14 V 上升时间: 0.10-0.15 ns 下降时间: 0.13-0.15 ns 串联电阻: 30-45-60 Ω高速度VCSEL TO-46金属外壳，配有监测光电二极管。
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监控电流: 200 800 uA PD电容: 12 pF 正向电压: 1.6 1.8 2.1 V 串联电阻: 45 60 Ω 光谱宽度(RMS): 0.85 nmTMC-5F45-347/-447是高速VCSEL，适用于多模光纤通信，具有高耦合效率和内置监测光电二极管。
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监控电流: 200 800 uA PD电容: 12 pF 正向电压: 1.6 1.8 2.1 V 串联电阻: 45 60 Ω 光谱宽度(RMS): 0.85 nmTMC-5F45-347/-447是一款高速度的VCSEL，专为多模光纤通信设计，支持高达4.25Gbps的数据速率，适用于多种光网络设备。
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斜率效率: 0.05-0.12mW/mA 上升/下降时间: 90ps 光谱宽度(RMS): 0.85nm 监控电流: 200-800μA 温度变化: -1.5-1.5mATTR-1F45-357/TTR-1F45-427是连接式高速VCSEL，支持多模光纤通信，适用于小型光收发器设计和数据中心高速数据传输。
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响应度: 0.55-0.65 A/W 击穿电压: 50-65 V 电容: 0.22-0.25 pFTPD-8D12-052是一款10Gbps GaAs PIN光电二极管，具有高响应度和低暗电流，适用于光纤通信等多个应用场景。
