C30927EH系列用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管

分类：光电二极管

厂家： Excelitas Technologies

产地：美国

型号： C30927EH-01 | C30927EH-02 | C30927EH-03

更新时间： 2024-07-13 19:00:18

标签：

光电探测器快速响应高量子效率雪崩光电二极管四象限跟踪

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概述

C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管，采用双扩散“穿透”结构，优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区，因此在视线中心没有响应损失。

参数

有用面积 / Useful Area : 1.77mm2
有用直径 / Useful Diameter : 1.55mm
击穿电压 / Breakdown Voltage : 350-485V
增益 / Gain : 100
量子效率 / Quantum Efficiency At 800 Nm : 85%
量子效率(900nm) / Quantum Efficiency At 900 Nm : 85%
量子效率(1060nm) / Quantum Efficiency At 1060 Nm : 18%
总暗电流 / Total Dark Current : 100-200nA
噪声电流(10kHz) / Noise Current : 1.0-1.5pA/√Hz
电容 / Capacitance : 3-5pF
象限间电阻 / Resistance Between Paralleled Quadrant Pairs : 8-50kΩ
串联电阻 / Series Resistance : 15Ω
上升/下降时间 / Rise/Fall Time : 3-4ns

应用

1.跟踪 2.对准 3.“敌我”识别

特征

1.全角度照明敏感表面大于90度 2.高量子效率 3.快速时间响应 4.大面积 5.密封低调TO-8包装

详述

C30927EH系列用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管的产品图片

/nC30927EH Quadrant Silicon Avalanche Photodiode系列产品是专为跟踪应用设计的高性能光电探测器，具有高量子效率和快速响应时间。其四象限结构设计确保了在视轴处没有响应损失，且适用于多种波长（1060nm、900nm和800nm）。这些光电二极管适用于跟踪、对准和“敌我识别”等应用场景，提供卓越的性能和可靠性。Excelitas Technologies作为全球技术领导者，致力于为OEM客户提供创新、定制化的解决方案，确保客户在其专业终端市场中的成功。