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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管 光电二极管
精品

C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管

分类: 光电二极管

厂家: Excelitas Technologies

产地: 美国

型号: C30645L-080 | C30662L-200

更新时间: 2024-08-29 01:58:46

光通信 光电传感器 LIDAR InGaAs 雪崩光电二极管 APD

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概述

Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs,提供高量子效率和低噪声的高响应度

参数

  • 击穿电压 / Breakdown Voltage : 45-70V
  • 光谱范围 / Spectral Range : 1000-1700nm
  • 峰值响应 / Peak Responsivity : 1550nm
  • 响应度 / Responsivity : 9.4A/W
  • 工作增益 / Recommended Operating Gain : 10-20
  • 有用面积 / Useful Area : 5027-31420µm2
  • 有用直径 / Useful Diameter : 80-200µm
  • 正向电流 / Forward Current : 5mA
  • 反向电流 / Reverse Current : 0.4mA
  • 总功率耗散 / Total Power Dissipation : 20mW
  • 储存温度 / Storage Temperature : -60-125°C
  • 工作温度 / Operating Temperature : -20-70°C
  • 焊接温度 / Soldering Temperature : 250°C
  • 上升时间/下降时间 / Rise Time / Fall Time : 0.3-0.4ns
  • 带宽 / Bandwidth : 600-1000MHz
  • 量子效率 / Quantum Efficiency : 75%
  • 操作点从击穿 / Operating Point From Breakdown : 2.0-2.5V
  • 温度系数 / Temperature Coefficient Of VBD : 0.14-0.20V/°C
  • 电容 / Capacitance : 1.45-2.70pF
  • 暗电流 / Dark Current : 5-150nA
  • 暗噪声 / Dark Noise : 0.35-1.50pA/√(Hz)
  • 噪声等效功率 / Noise Equivalent Power : 0.04-0.09pW/√(Hz)

应用

1.LiDAR / ToF测量 2.眼安全激光测距 3.高容量消费应用 4.光时域反射计(OTDR) 5.光通信系统 6.激光扫描

特征

1.光谱响应范围宽 2.高响应度 3.低暗电流和噪声 4.大活动面积 5.紧凑、坚固的陶瓷SMT封装 6.可定制化(例如滤波器) 7.符合RoHS标准

详述

C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管的产品图片

/nExcelitas的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管(APD)是高速、大面积InGaAs APD,提供高量子效率和高响应度,并具有低噪声特性,适用于光谱范围1000 nm – 1700 nm。其紧凑、坚固的陶瓷SMT封装便于集成到高容量应用中,特别适用于LiDAR/ToF测量、安全激光测距、高容量消费应用、光时域反射计(OTDR)、光通信系统和激光扫描等多种应用场景。通过定制化服务,可以满足不同应用的性能需求。该系列产品符合RoHS标准,并提供多种型号以满足不同需求。

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厂家介绍

Excelitas Technologies是提供高性能、市场驱动的光子创新的技术做的较好的,以满足全球客户的照明、光电、检测和光学技术需求。

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