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电容
Capacitance（pF）
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暗电流
Dark Current（e/px/s）
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响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
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波长范围
Wavelength Range（nm）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1440个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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峰值波长: 350nm-1100nm 响应度: 0.88A/W-1.6A/W 电容: 70pF-2000pF 暗电流: 2.0e-14W/√Hz-2.5e-13W/√Hz 上升时间: 4ns-6600nsPhotovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用，尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm，使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度，蓝色增强设备更为适用。
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窗口直径: 3.89mm 盖直径: 4.65mm 电源电压: 4.0V 静态电流: 3.5V 输出波形: 标称值BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管，与一个NE5212（Signetics）转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。
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位置响应度: 3-150 A/W 检测误差: 0.04-14 nA 暗电流: 0.025-1.4 μA 电容: 15-1500 pF 位置漂移: 0.04-1.4 μm / °C双面、超线性位置传感器（Duo-Lateral, Super Linear PSD）采用最先进的双侧技术，提供一个连续的模拟输出，该输出与光斑质心从活动区域中心的偏移量成比例，具有超高精度和宽动态范围，适用于光束对准、表面轮廓测量等应用。
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温度: 22±2˚C 噪声等效功率: 1.5 x 10-14 WHz-1/2 有效区域: 1.0 x 1.0 mm 响应度: 1 nA Lux-1 暗电流: 0.2 nAOSD-E系列光电二极管是蓝光增强探测器，配有高质量的色彩校正滤光片。其光谱响应接近人眼的响应。适用于光度测量、医疗仪器和分析化学。
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响应度: 900nm, 0.54 A/W 暗电流: 3.00 nA 电容: 48 pF 上升时间: 5.0 ns 噪声等效功率: 1.2 e-14 W/√HzLarge Active Area Photodiodes大活动面积高速探测器和辐射探测器旨在实现尽可能低的结电容，以获得快速响应时间，并可完全耗尽用于高能辐射测量。具有大有效面积、高击穿电压和快速响应时间，适用于高能粒子检测。
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储存温度: -55°C至+125°C 工作温度: -40°C至+75°C 焊接温度: +260°C 有效面积直径: 150µm, 250µm, 300µm, 400µm 响应度: 0.36A/WOSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列，具有大感光面积，优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容，适用于1.25Gbps以下的应用，如千兆以太网和光纤通道。
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光谱范围: 350nm-1100nm 峰值响应度: 0.50A/W@800nm 响应时间: 几百皮秒@-5V 反向偏压: 最大指定反向电压 输出信号测量: 示波器或高频放大器OSI Optoelectronics' High Speed Silicon 系列是小面积设备，优化用于快速响应时间或高带宽应用。BPX-65 补充了其他高速组，具有行业标准。这些设备的光谱范围从 350 nm 到 1100 nm，响应度和响应时间经过优化，HR 系列在 800 nm 时表现出 0.50 A/W 的峰值响应度，在 -5V 时典型响应时间为几百皮秒。具有低暗电流和低电容，适用于视频系统、计算机和工业控制等应用。
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暗电流: 3.9nA 电容: 12pF 响应度: 0.99A/W 噪声等效功率: 6.2e-15W/√Hz 工作温度范围: 30-85°C多通道阵列光电探测器由多个单元光电二极管组成，彼此相邻排列，形成共阴极基板上的一维感应区域。它们能够同时测量移动光束或多波长光束，具有低电气串扰和超高均匀性，使得相邻元件之间的测量精度非常高。阵列提供了一种低成本的解决方案，适用于需要大量探测器的应用。探测器针对紫外线、可见光或近红外范围进行了优化。
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暗电流: 540pA 终端电容: 930pF 温度范围: -10mV 响应度: 0.31A/W 上升时间: 0.59μsMulti-Channel X-Ray Detector Series系列由16个元素阵列组成：单个元素被组合在一起并安装在PCB上。对于x射线或伽马射线的应用，这些多通道探测器提供了闪烁体安装选项： BGO、CdWO4或碘化铯（TI）。BGO（德国铋）作为一种理想的能量吸收器：它在高能检测应用中被广泛接受。cdwo4（钨酸镉）表现出足够高的光输出，有助于提高光谱分析结果。碘化铯（碘化铯）是另一种高能量吸收器，提供足够的抵抗机械冲击和热应力。当与闪烁体耦合时，这些硅阵列通过散射效应将任何中等或高辐射能量映射到可见光谱上。此外，他们的特别设计的PCB允许端到端连接。可以在需要更大规模的组装的情况下部署多个阵列。
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活动区域: 0.20-13 mm² 峰值波长: 632-970 nm 上升时间: 10-250 ns 温度范围: -10-+100°C 反向电压: 0-30 VPlanar Diffused Silicon Photodiodes适用于高速和高灵敏度应用的光电导探测器系列。光谱范围从350到1100纳米，使这些光电二极管理想用于可见光和近红外应用，包括检测脉冲激光源、LED或割接光等交流应用。
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储存温度: -55 - +125°C 工作温度: -40 - +75°C 供电电压: +3 - +5.5V 输入光功率: --- - +5dBm 电源电流: 38 - 50mAFCI-H125G-010是一款针对短波长（850nm）高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250µm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器，并包括一个高增益跨阻放大器，用于产生差分输出电压，以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器，适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。
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有效区域: φ 85 - φ 4500 mm² 暗电流: 2.54 - 11.3 nA 温度范围: 0 - 70°C 响应度: 0.25 - 9.2 A/W 电容: 3 - 300 pFPhotop™系列将光电二极管与运算放大器结合在同一封装中。这些通用探测器具有从350纳米到1100纳米或200纳米到1100纳米的光谱范围，集成封装确保在各种操作条件下低噪声输出。Photop™系列光电二极管放大器混合器，特点包括可调增益/带宽、低噪声、宽带宽，适用于激光功率监控、医学分析等多种应用。
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有效区域: 1 cm2 (PIN-10DF/PIN-10AP), 6 mm2 (PIN-005D-254F) 封装类型: BNC (PIN-10DF/PIN-10AP), TO-5 (PIN-005E-550F/PIN-005D-254F) 光谱响应: 450-950 nm (PIN-10DF), CIE曲线 (PIN-10AP/PIN-555AP), 550 nm (PIN-005E-550F), 254 nm (PIN-005D-254F) 温度范围: 0°C to +70°C 存储温度: -25°C to +85°CDetector-Filter Combination Series系列产品结合了滤波器和光电二极管，以实现定制的光谱响应。OSI Optoelectronics提供多种标准和定制组合。根据要求，所有探测器-滤波器组合都可以提供NIST可追溯的校准数据，以安培/瓦特、安培/流明、安培/勒克斯或安培/英尺烛光等形式指定。
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有效区域: 多种尺寸 响应时间范围: 多种范围 光谱范围: 350-1100 nm 封装类型: 多种类型 暗电流: 多种值高质量和可靠性的塑料封装光电二极管系列产品。这些模制设备以多种形状和尺寸的光检测器和封装形式提供，包括行业标准T1和T13/4、平面和带透镜的侧视器以及表面安装版本（SOT-23）。它们非常适合在恶劣环境中安装在PCB和手持设备上。
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活动区域: 0.25-19.6 mm² 响应度: 0.010-0.127 A/W 电容: 1-50 pF 暗电流: 0.01-0.50 nA 噪声等效功率: 2.8e-15-1.9e-14 W/√HzSPOT系列分段光电二极管分为两个或四个独立的活动区域，具有高响应均匀性。适用于精确校准和中心定位，具有高精度、高速响应和优秀的时间及温度稳定性。
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暗电流: QD7-0: 0.2 nA (min), 0.47 nA (typ) | QD50-0: 0.54 nA (typ) 反向电压: QD7-0: 30 V (typ) | QD50-0: 10 V (typ) 有效区域: QD7-0: φ 20 mm | QD50-0: φ 125 mm 响应度: QD7-0: 0.4 A/W (typ) at 900 nm | QD50-0: 15.0 A/W (typ) at 900 nm 电容: QD7-0: 15.0 pF (typ) at 0 V | QD50-0: 30.0 pF (typ) at 0 VQD7-0-SD和QD50-0-SD是带有关联电路的象限光电二极管阵列，用以提供两个差分信号和一个求和信号。两个差分信号是由光电二极管象限元件对立面感测到的光强度差异的电压模拟。此外，所有4个象限元件的放大求和也作为求和信号提供。这使得QD7-0-SD或QD50-0-SD非常适合光束对准和位置应用。可以实现非常精确的光束对齐，并且电路也可以用于目标获取和对齐。
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储存温度: -55~+125°C 工作温度: -40~+75°C 焊接温度: 最高+260°C 活动区域直径: 1000~3000µm 响应度: 0.85~0.90A/WFCI-InGaAs-QXXX系列是大活动面积的InGaAs光电二极管，分割成四个独立的活动区域。这些光电二极管有1mm和3mm的活动区域直径。InGaAs四象限系列具有高响应均匀性和元素间低串扰，非常适合精确的零位或中心定位应用以及光束轮廓分析应用。
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反向电压: 5V 工作温度: -20到+60ºC 储存温度: -20到+80ºC 有效区域: 5到100mm2 活动区域尺寸: 具体型号数据参考XUV Series独特的硅光电二极管系列，设计用于X射线区域的额外灵敏度，无需闪烁晶体或屏幕。它们在从0.07nm到200nm（6eV到17.6KeV）的宽光谱范围内敏感，每3.63eV的入射能量可产生一个电子-空穴对，对应极高的稳定量子效率。适用于电子检测、医疗仪器等应用。
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有效区域: 不同型号有4.7mm2到189.0mm2 峰值波长: 不同型号有370nm到8500nm 响应度: 不同型号有A/W单位 并联电阻: 不同型号有(MΩ)单位 暗电流: 不同型号有(nA)单位这是一系列可焊接的光电二极管芯片，提供了一种低成本的解决方案，适用于需要大活动区域的光检测器，无论是否带有飞线以便组装，或在检测器被视为“一次性使用”的情况下。这些检测器具有低电容、适度的暗电流、宽动态范围和高开路电压。
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DSNU: 80 DSNU: ±0.010 DSNU: 50 DSNU: -15到+70 DSNU: 670四边形位置传感器（Tetra-Lateral Position Sensors）采用单一电阻层制造，适用于一维和二维测量。具有共用阳极和两个或四个阴极，用于一维或二维位置感应。适用于工具对准、水平测量和角度测量等多种应用场景。