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大有源区高速探测器

分类： 光电二极管

厂家： OSI Optoelectronics

产地： 美国

型号： High Breakdown Voltage, Fully Depleted Series

更新时间： 2024-08-23 17:24:45

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概述

Large Active Area Photodiodes大活动面积高速探测器和辐射探测器旨在实现尽可能低的结电容，以获得快速响应时间，并可完全耗尽用于高能辐射测量。具有大有效面积、高击穿电压和快速响应时间，适用于高能粒子检测。

参数

  • 响应度 / Responsivity : 900nm, 0.54 A/W
  • 暗电流 / Dark Current : 3.00 nA
  • 电容 / Capacitance : 48 pF
  • 上升时间 / Rise Time : 5.0 ns
  • 噪声等效功率 / NEP : 1.2 e-14 W/√Hz
  • 有效区域 / Active Area : 7.1 mm²
  • 反向电压范围 / Reverse Voltage Range : 0-100 V
  • 温度范围 / Temp. Range : 25-900°C

应用

1. 激光制导导弹 2. 激光警告 3. 激光测距 4. 激光对准 5. 控制系统 6. 电子检测 7. 医疗仪器 8. 高能光谱学 9. 带电粒子检测 10. 高能物理 11. 核物理

特征

1. 大有效面积 2. 完全耗尽 3. 快速响应 4. 超低暗电流 5. 低电容 6. 高击穿电压

图片集

High Breakdown Voltage, Fully Depleted Series图1
High Breakdown Voltage, Fully Depleted Series图2

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厂家介绍

OSI Optoelectronics成立于2006年，由同一品牌下的多家子公司合并而成，服务于相同的客户和应用。我们的目标是加强我们对核心业务的关注，并利用公司内部的所有资源来提供较好的产品。

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