大有源区高速探测器
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概述
参数
- 响应度 / Responsivity : 900nm, 0.54 A/W
- 暗电流 / Dark Current : 3.00 nA
- 电容 / Capacitance : 48 pF
- 上升时间 / Rise Time : 5.0 ns
- 噪声等效功率 / NEP : 1.2 e-14 W/√Hz
- 有效区域 / Active Area : 7.1 mm²
- 反向电压范围 / Reverse Voltage Range : 0-100 V
- 温度范围 / Temp. Range : 25-900°C
应用
1. 激光制导导弹 2. 激光警告 3. 激光测距 4. 激光对准 5. 控制系统 6. 电子检测 7. 医疗仪器 8. 高能光谱学 9. 带电粒子检测 10. 高能物理 11. 核物理
特征
1. 大有效面积 2. 完全耗尽 3. 快速响应 4. 超低暗电流 5. 低电容 6. 高击穿电压
规格书
厂家介绍
OSI Optoelectronics成立于2006年,由同一品牌下的多家子公司合并而成,服务于相同的客户和应用。我们的目标是加强我们对核心业务的关注,并利用公司内部的所有资源来提供较好的产品。
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