FCI-InGaAs-Q1000

分类：光电二极管

厂家： OSI Laser Diode, Inc.

产地：美国

型号： FCI-InGaAs-Q1000

更新时间： 2024-08-28 11:09:22

标签：

光束成像位置传感光束对准大面积光电二极管 InGaAs光电二极管

简介：

Large Active Area InGaAs Quadrants

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概述

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q1000是波长范围为900至1700 nm、电容为25 PF、暗电流为0.5至15 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q1000的更多详细信息，请联系我们。

参数

波长范围 / Wavelength Range : 900 to 1700 nm
光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
电容 / Capacitance : 25 pF
暗电流 / Dark Current : 0.5 to 15 nA
响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.85 to 0.95 A/W

应用

1. 位置传感 2.光束对准 3.光束成像

特征

1.高响应度 2.低噪声 3.光谱范围900nm至1700nm 4.低串扰 5.宽视场

详述

FCI-InGaAs-QXXX系列光电二极管以其大面积和四个独立的活动区域设计，适用于精确的零点或中心定位应用以及光束成像应用。该系列光电二极管具有优异的响应性，在1100nm到1620nm范围内表现出色，并且在时间和温度上稳定，适用于高速或脉冲操作。其高响应均匀性和低串扰特点使其在位置传感、光束对准和光束成像等应用中表现突出。封装在隔离的TO-5或TO-8罐中，并带有宽带双面AR涂层的平窗，确保了产品的高性能和稳定性。

规格书

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厂家介绍

OSI激光二极管公司（LDI）成立于1967年，为广泛的应用和行业生产较高质量的先进光电产品。我们较先进的制造、先进的产品开发和质量计划，加上我们持续的流程改进，体现了我们的领导、可靠性和诚信原则。

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