- 奥地利
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电容
Capacitance（pF）
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暗电流
Dark Current（e/px/s）
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响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
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波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, InGaAs, InP 电容: 45 pF 暗电流: 250 to 1000 pA 响应度/光敏度: 0.9 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-1300-0-0.5是一款光电二极管，电容为45 PF，暗电流为250至1000 pA，响应度/光敏度为0.9 A/W.有关EPD-1300-0-0.5的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, InGaAs, InP 电容: 1000 to 1300 pF 暗电流: 5 to 30 pA
Roithner Lasertechnik的EPD-1300-0-3.0是一款光电二极管，电容为1000至1300 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.9 A/W.有关EPD-1300-0-3.0的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1750 nm 光电二极管材料: GaP, InGaAs 电容: 11 pF 暗电流: 15 to 40 pARoithner Lasertechnik的EPD-1300-5-0.3是一款光电二极管，波长范围为800至1750 nm，带宽为780 nm，电容为11 PF，暗电流为15至40 pA，响应度/光敏度为0.9 A/W.EPD-1300-5-0.3的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Gallium RoHS: Yes 电容: 250 pF
Roithner Lasertechnik的EPD-365-0-1.4是一款光电二极管，波长范围为365 nm，带宽为85 nm，电容为250 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.07 A/W.EPD-365-0-1.4的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.18 A/WRoithner Lasertechnik的EPD-470-0-1.4是一款光电二极管，带宽为80 nm，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.18 A/W.EPD-470-0-1.4的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaN 暗电流: 20 to 50 pA 响应度/光敏度: 0.12 A/W
来自Roithner Lasertechnik的EPD-470-5-0.5是一款光电二极管，带宽为75 nm，暗电流为20至50 pA，响应度/光敏度为0.12 A/W.有关EPD-470-5-0.5的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 电容: 180 pF 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.08 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-525-0-1.4是一款光电二极管，带宽为80 nm，电容为180 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.08 A/W.EPD-525-0-1.4的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 电容: 350 pF 暗电流: 50 to 300 pA 响应度/光敏度: 0.08 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-525-0-2.5是一款光电二极管，带宽为60 nm，电容为350 PF，暗电流为50至300 pA，响应度/光敏度为0.08 A/W.EPD-525-0-2.5的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 50 pF 暗电流: 40 to 200 pA 响应度/光敏度: 0.42 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-660-5/0.5是一款光电二极管，带宽为170 nm，电容为50 PF，暗电流为40至200 pA，响应度/光敏度为0.42 A/W.EPD-660-5/0.5的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, GaAs 响应度/光敏度: 0.5 A/WRoithner Lasertechnik的EPD-740-0/2.5是一款光电二极管，带宽为115 nm，暗电流为2至nA，响应度/光敏度为0.5 A/W.EPD-740-0/2.5的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 40 pF 暗电流: 40 to 200 pA 响应度/光敏度: 0.5 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-740-5/0.4是一款光电二极管，带宽为115 nm，电容为40 PF，暗电流为40至200 pA，响应度/光敏度为0.5 A/W，上升时间为15 ns.有关EPD-740-5/0.4的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 890 nm 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 590 pF 暗电流: 1 to 2.5 nA
Roithner Lasertechnik的EPD-880-0-1.4是一款光电二极管，波长范围为890 nm，带宽为680 nm，电容为590 PF，暗电流为1至2.5 nA，响应度/光敏度为0.3至0.55 A/W.EPD-880-0-1.4的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 890 nm 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 120 pF 暗电流: 1 to 2.5 nA
Roithner Lasertechnik的EPD-880-5-0.9是一款光电二极管，波长范围890 nm，带宽680 nm，电容120 PF，暗电流1至2.5 nA，响应度/光敏度0.3至0.55 A/W.EPD-880-5-0.9的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.14 A/WRoithner Lasertechnik的GUVA-S12SD是一款光电二极管，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.14 A/W.有关GUVA-S12SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 10 nA 响应度/光敏度: 0.18 A/WRoithner Lasertechnik的GUVA-T11GD-L是一款光电二极管，暗电流为10 nA，响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVA-T11GD-L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.18 A/WRoithner Lasertechnik的GUVA-T11GD是一款光电二极管，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVA-T11GD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.14 A/WRoithner Lasertechnik的GUVB-S11SD是一款光电二极管，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.14 A/W.有关GUVB-S11SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.06 A/WRoithner Lasertechnik的GUVC-T10GD是一款光电二极管，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.06 A/W.有关GUVC-T10GD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: YesRoithner Lasertechnik公司的GUVC-T21GH是一种光电二极管，带宽为100 nm，响应度/光敏度为0.6 MV/NW，上升时间为3 ms.有关GUVC-T21GH的更多详细信息，请联系我们。
