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电容
Capacitance（pF）
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暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供43个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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APD 类型: InGaAs 工作波长: 1310nm 工作波长范围: 1310 - 1550 nmInGaAs雪崩光电二极管。
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APD 类型: InGaAs 工作波长: 1310nm 工作波长范围: 1310 - 1550 nmInGaAs雪崩光电二极管。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.1 pFKyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管，工作波长为900至1700 nm（O、E、S、C、L波段）。它可以处理10mW的最大输入光功率，响应度为0.8-0.9A/W，带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm，电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA，反向电压为20V，正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装，尺寸为Ø2.41 mm，非常适合光监控应用。
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光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 75 fFKyoto Semiconductors的KPDEA13C是一款KP-A InGaAs雪崩光电二极管，工作波长为900至1700 nm.它的带宽为15GHz，响应度为0.5A/W，有效面积为φ13μm.该表面入射光电二极管具有GSG（地/信号/地）电极图案和4.5的倍增因子。暗电流为2μA，击穿电压为27 V.该光电二极管采用尺寸为0.42 X 0.48 mm的芯片封装，非常适合QSFP28-ER和QSFP56-ER应用。
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模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: SiliconKyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管，工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率，光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源，消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W，支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成，并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块，带有SMA母头连接器，非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。
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模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: YesKyoto Semiconductors的KPMC29是一款Si/InGaAs双色调光电二极管，有效面积为2.2 X 2.2 sq.毫米（Si）和0.86 X 0.86平方毫米（InGaAs）。为了扩展波长范围，在同一轴上堆叠了对短波长敏感的Si光电二极管和对长波长敏感的InGaAs光电二极管。它的终端电容为30 PF（Si）、45 PF（InGaAs），响应度高达0.7 A/W（Si）、0.9 A/W（InGaAs）。该光电二极管在-20至+80℃的温度范围内工作，并且具有从400至1700nm的宽波长范围。该设备非常适合用于分光光度计、辐射温度计、医疗设备、保健设备和光纤测试设备。
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工作模式: Photovoltaic 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/WHamamatsu Photonics的P13243-045CF是一款InAsSb光电二极管，工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W，光谱响应半峰全宽（FWHM）为350nm，探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W，光敏面积为0.7×0.7mm，视场为90°，带通滤波器为4.45μm.上升时间为15 ns，噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2，分流电阻为300 kΩ。P13243-045F采用陶瓷封装，非常适合火焰监测应用。
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工作模式: Photovoltaic 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/WHamamatsu Photonics的P13243-045MF是一款InAsSb光电二极管，工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W，光谱响应半峰全宽（FWHM）为350nm，探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W，光敏面积为0.7×0.7mm，带通滤波器为4.45μm，视场为82°。它的上升时间为15 ns，噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2，分流电阻为300 kΩ。P13243-045MF采用TO-46封装，非常适合火焰监测应用。
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工作模式: Photovoltaic 波长范围: 9.7 to 11 µm 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.6 pFHamamatsu Photonics的P13894-011CN是一款光谱范围高达11μm的InAsSb红外光电二极管。光敏二极管的光敏面积为1×1mm，灵敏度为2mA/W，探测率为7.0×107cm·Hz1/2/W，最大上升时间为10ns，最大噪声等效功率为2.5×10-9W/Hz1/2。其分流电阻为2K&Ω，终端电容为0.6pF.该光电二极管采用紧凑型表面贴装陶瓷封装，非常适合辐射温度计和气体检测（CH4、CO2、Co、NH3、O3等）应用。
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接近角: 300-650 Degree 有效区域: 1*3我们利用我们独特的微细加工技术来设计和开发各种微型 PMT，这些 PMT 体积小巧轻便，同时保持了光电倍增管众所周知的高性能。 Micro PMT器件采用MEMS技术的阳极键合，将硅基板与玻璃基板连接在一起，因此具有很强的抗冲击性。这种高缓冲或抗冲击性使其成为开发高性能手持式测试和分析设备的理想选择。
