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KPDEA13C 光电二极管

KPDEA13C

分类: 光电二极管

厂家: Kyosemi Opto America Corp

产地: 日本

型号: KPDEA13C

更新时间: 2024-08-30 14:38:11

KP-A InGaAs Avalanche Photodiode from 900 to 1700 nm

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概述

Kyoto Semiconductors的KPDEA13C是一款KP-A InGaAs雪崩光电二极管,工作波长为900至1700 nm.它的带宽为15GHz,响应度为0.5A/W,有效面积为φ13μm.该表面入射光电二极管具有GSG(地/信号/地)电极图案和4.5的倍增因子。暗电流为2μA,击穿电压为27 V.该光电二极管采用尺寸为0.42 X 0.48 mm的芯片封装,非常适合QSFP28-ER和QSFP56-ER应用。

参数

  • 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
  • 工作模式 / Operation Mode : Photoconductive
  • 波长范围 / Wavelength Range : 900 to 1700 nm
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
  • 电容 / Capacitance : 75 fF
  • 暗电流 / Dark Current : 2 µA
  • 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.5 A/W

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厂家介绍

光半导体器件的研发、制造和销售,包括光半导体元件、光学和光传感器、光通信用器件以及其他半导体相关产品。

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