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KPDE008LS-A-RA-HQ 光电二极管

KPDE008LS-A-RA-HQ

分类: 光电二极管

厂家: Kyosemi Opto America Corp

产地: 日本

型号: KPDE008LS-A-RA-HQ

更新时间: 2024-08-25 01:47:42

KP-M InGaAs Photodiode from 900 to 1700 nm

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概述

Kyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管,工作波长为900至1700 nm(O、E、S、C、L波段)。它可以处理10mW的最大输入光功率响应度为0.8-0.9A/W,带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm,电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA,反向电压为20V,正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装,尺寸为Ø2.41 mm,非常适合光监控应用。

参数

  • 模块 / Module : No
  • 光电探测器类型 / Photodetector Type : PIN
  • 波长范围 / Wavelength Range : 900 to 1700 nm
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
  • 电容 / Capacitance : 1.1 pF
  • 暗电流 / Dark Current : 160 pA
  • 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.8 to 0.9 A/W

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厂家介绍

光半导体器件的研发、制造和销售,包括光半导体元件、光学和光传感器、光通信用器件以及其他半导体相关产品。

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