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电容
Capacitance（pF）
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暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1440个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 295 to 490 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GVGR-S11SD是一款光电二极管，波长范围为295至490 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.07 A/W.有关GVGR-S11SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 300 to 510 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GVGR-T10GD是一款光电二极管，波长范围为300至510 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.026 A/W.有关GVGR-T10GD的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 2000 to 5500 nm 光电二极管材料: InAs, InAsSbPVigo System的PVA系列是InAs/InAsSb红外光伏探测器，工作波长为2至5.5µm.它们具有超过1.3A/W的电流响应度，并且基于外延InAs/InAsSb异质结构。这些探测器在高达300°C的温度下保持稳定，并且机械耐用。这些器件采用TO39封装，尺寸为0.1 X 0.1 mm.
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模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 200 to 400 nm 光电二极管材料: SiC来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度，并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用，包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管（PMT）的固态替代品。
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电源: Without Be window ≤ 40W With Be window≤ 100W冷阴极X射线管（PRT）使用内置光电倍增管（PMT）作为电子源，而不是传统的阴极。X射线由照射在PMT光电阴极上的光进行调节。发光二极管、灯或任何其他光源均可用作光源。PRT可应用于医学（X射线断层扫描）、生物学、X射线空间通信、X射线结构和X射线光谱分析设备。
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暗电流: ≤2·10-8APMT-175具有SbKCs光电阴极和线性14个阳极倍增系统。该装置用于多光谱研究，也可用于专用设备和气体传感器。
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接近角: 300-650 Degree 有效区域: 1*3我们利用我们独特的微细加工技术来设计和开发各种微型 PMT，这些 PMT 体积小巧轻便，同时保持了光电倍增管众所周知的高性能。 Micro PMT器件采用MEMS技术的阳极键合，将硅基板与玻璃基板连接在一起，因此具有很强的抗冲击性。这种高缓冲或抗冲击性使其成为开发高性能手持式测试和分析设备的理想选择。
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击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有效面积直径: 500μmExcelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD，能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式（Vop > VBD）以检测单光子，或者在Linear模式（Vop < VBD）下工作，增益可达250。
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击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有用面积: 0.2mm2Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。
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封装: TO-5 有用面积: 0.5mm² 有用直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119Degrees 名义视场: 132DegreesC30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管，采用双扩散“穿透”结构制造，可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。
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光敏表面有效面积: 0.5mm² 光敏表面有效直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119 Degrees 名义视场: 132 Degrees 击穿电压: 190-290VC30884EH是一种硅雪崩光电二极管，具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造，优化了在1000纳米以下波长的高响应度。
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形状: Square 有效区域: 25mm2 有用尺寸: 4.7x4.7mm 响应度: 22A/W at 900nm 暗电流: 250nAC30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器，具有高响应度和低暗电流，适用于高精度光电检测。
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形状: Square 有效区域: 100mm2 有用尺寸: 10x10mm 响应度: 55A/W 暗电流: 250nAC30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器，适用于高精度光学测量。
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工作电压: 400-420V(standard version), 400-450V(high gain version) 增益: 80-100(standard version), 180-200(high gain version) 量子效率: 65-80% at 430nm 响应度: 26A/W(standard version), 52A/W(high gain version) at 430nm and Typical Gain M 温度系数: 1.2V/°C for constant gainC30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD，专为各种宽带低光级应用而设计，涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。
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有效区域: 1x1mm² 带宽范围: 50MHz 工作电压温度系数: 1.0V/°C 指定响应度的Vop: 350-430V 温度传感器灵敏度: -1.8 to -2.4mV/°CExcelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器，封装在同一密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。
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光谱响应范围: Si APD: 400nm-1100nm, InGaAs APD: 1100nm-1700nm 系统带宽: 50MHz和200MHz 典型功耗: 150mW 放大器工作电压范围: ±5V AC负载能力: 50Ω (AC-Coupled)Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管（APD）与混合前置放大器，在同一个密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。
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活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-160Volts 工作电压: 100-150Volts 增益: M=100 响应度: 35A/W@635nmC30737CH系列硅雪崩光电二极管采用'侧视'LLC SMD封装，适用于高容量激光测距、区域扫描和手势识别应用。
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活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-165Volts 工作电压: 95-155Volts 增益: M=1@Vr=10V 温度系数: 0.6V/°CExcelitas Technologies的C30737LH-300-7XN系列是一款低电容硅雪崩光电二极管，封装在无引脚陶瓷载体SMT封装中，适用于高体积激光测距和测距应用。
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系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 VExcelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收模块集成了APD、热电制冷器（TEC）以及放大电路，所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。
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有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 封装: TO-18 Hermetic/TO-18 with Filter/TO-18 Plastic 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200VExcelitas的C30724系列雪崩光电二极管（APD）设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度，并具有大约5纳秒的上升和下降时间，下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。