C30739ECERH Series 短波长增强硅雪崩光电二极管

分类：光电二极管

厂家： Excelitas Technologies

产地：美国

型号： C30739ECERH Series

更新时间： 2024-07-13 18:55:06

标签：

光电探测器高量子效率硅APD 短波长增强 PET 核医学

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概述

C30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD，专为各种宽带低光级应用而设计，涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。

参数

工作电压 / Operating Voltage : 400-420V(standard version), 400-450V(high gain version)
增益 / Gain : 80-100(standard version), 180-200(high gain version)
量子效率 / Quantum Efficiency : 65-80% at 430nm
响应度 / Responsivity : 26A/W(standard version), 52A/W(high gain version) at 430nm and Typical Gain M
温度系数 / Temp. Coefficient : 1.2V/°C for constant gain
电容 / Capacitance : 60pF at Vop
上升时间 / Rise Time : 2ns
暗电流 / Dark Current : 1.5nA(standard version), 2nA(high gain version) at Vop
噪声电流 / Noise Current : 0.3pA/√Hz(standard version), 0.4pA/√Hz(high gain version) at Vop

应用

1. 分子成像（PET） 2. 核医学 3. 荧光检测 4. 高能物理 5. 安全辐射检测 6. 光学断层扫描 7. 环境监测

特征

1. 大面积硅APD 2. 短波长增强响应性 3. 高量子效率 4. 易于与闪烁晶体耦合 5. 非磁性封装 6. 提供定制封装 7. 优秀的时间分辨率 8. 符合RoHS标准

详述

C30739ECERH Series 短波长增强硅雪崩光电二极管的产品图片

/nC30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管（APD）专为宽带低光电平应用而设计，覆盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。该设备具有增强的短波长响应度，量子效率通常超过80％，并且具有大面积、低噪声和低电容的特点，非常适合PET等高需求大批量应用。标准陶瓷载体封装便于处理和与闪烁晶体（如LSO和BGO）耦合。客户也可以根据特殊设计、封装或测试需求进行定制。