C30884EH 硅雪崩光电二极管

分类：光电二极管

厂家： Excelitas Technologies

产地：美国

型号： C30884EH

更新时间： 2024-07-13 18:54:28

标签：

光通信光电探测器激光测距高量子效率雪崩光电二极管

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概述

C30884EH是一种硅雪崩光电二极管，具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造，优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

参数

光敏表面有效面积 / Photosensitive Surface Useful Area : 0.5mm²
光敏表面有效直径 / Photosensitive Surface Useful Diameter : 0.8mm
名义视场 / Nominal Field Of View α : FoV 119 Degrees
名义视场 / Nominal Field Of View α' : 132 Degrees
击穿电压 / Breakdown Voltage Vbr : 190-290V
工作电压 / Operating Voltage Vop : 180-260V
工作电压温度系数 / Temperature Coefficient Of Vop For Constant Gain : 1.1V/°C
增益 / Gain M : 100
响应度(900nm) / Responsivity At 900 Nm : 55-63A/W
响应度(1060nm) / Responsivity At 1060 Nm : 6-8A/W
量子效率(900nm) / Quantum Efficiency At 900 Nm : 85%
量子效率(1060nm) / Quantum Efficiency At 1060 Nm : 10%
暗电流 / Dark Current Id : 75nA
噪声电流 / Noise Current In : 1pA/sqrt(Hz)
上升/下降时间 / Rise/Fall Time : 1-1.5ns
电容 / Capacitance Cd : 4-6pF
串联电阻 / Series Resistance : 15Ω
储存温度 / Storage Temperature Tstg : -60-100°C
工作温度 / Operating Temperature To : -40-70°C

应用

1.光通信 2.激光测距 3.高速切换系统

特征

1.高量子效率 2.快速时间响应 3.宽操作温度范围 4.密封低廓形TO-5封装

详述

C30884EH 硅雪崩光电二极管的产品图片

/nC30884EH 硅雪崩光电二极管具有高量子效率、宽光谱响应范围和快速响应时间。其高响应度和快速响应特性使其在光通信、激光测距和高速开关系统中具有广泛的应用前景。该产品采用低轮廓TO-5封装，能够在-40°C至70°C的宽温度范围内稳定工作。此外，C30884EH 还符合RoHS标准，确保了其环保性和安全性。