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电容
Capacitance（pF）
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暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1440个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.1 pFKyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管，工作波长为900至1700 nm（O、E、S、C、L波段）。它可以处理10mW的最大输入光功率，响应度为0.8-0.9A/W，带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm，电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA，反向电压为20V，正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装，尺寸为Ø2.41 mm，非常适合光监控应用。
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光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 75 fFKyoto Semiconductors的KPDEA13C是一款KP-A InGaAs雪崩光电二极管，工作波长为900至1700 nm.它的带宽为15GHz，响应度为0.5A/W，有效面积为φ13μm.该表面入射光电二极管具有GSG（地/信号/地）电极图案和4.5的倍增因子。暗电流为2μA，击穿电压为27 V.该光电二极管采用尺寸为0.42 X 0.48 mm的芯片封装，非常适合QSFP28-ER和QSFP56-ER应用。
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模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: SiliconKyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管，工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率，光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源，消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W，支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成，并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块，带有SMA母头连接器，非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。
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模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: YesKyoto Semiconductors的KPMC29是一款Si/InGaAs双色调光电二极管，有效面积为2.2 X 2.2 sq.毫米（Si）和0.86 X 0.86平方毫米（InGaAs）。为了扩展波长范围，在同一轴上堆叠了对短波长敏感的Si光电二极管和对长波长敏感的InGaAs光电二极管。它的终端电容为30 PF（Si）、45 PF（InGaAs），响应度高达0.7 A/W（Si）、0.9 A/W（InGaAs）。该光电二极管在-20至+80℃的温度范围内工作，并且具有从400至1700nm的宽波长范围。该设备非常适合用于分光光度计、辐射温度计、医疗设备、保健设备和光纤测试设备。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 370 nm 光电二极管材料: GaN 暗电流: 1 nAGenuv的GUVA-C22SD是一款光电二极管，波长范围为240至370 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.14 A/W.有关GUVA-C22SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 370 nm 光电二极管材料: GaN 暗电流: 90 nAGenuv的GUVA-T21GD-U是一款光电二极管，波长范围为220至370 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVA-T21GD-U的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GUVB-C21SD是一款肖特基光电二极管，工作波长范围为260至320 nm.它的光功率为0.01-100mW/cm2，有效面积为0.076mm2。该光电二极管的正向电流为1 mA，反向电压为3 V.其暗电流为1 nA，光电流为115 nA，响应度为0.2 A/W.该光电二极管采用氮化铝镓制造，具有光伏工作模式。它是UV-B灯和紫外线指数监测应用的理想选择。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nAGenuv的GUVB-T11GD-L是一款光电二极管，波长范围为220至320 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD-L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GUVB-T11GD是一款光电二极管，波长范围为220至320 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nAGenuv的GUVB-T21GD-U是一款光电二极管，波长范围为220至320 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T21GD-U的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率，响应度为0.07A/W，光电二极管的反向电压为3V，正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的，具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装，尺寸为0.4 mm，非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。
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模块: No 光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 200 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaNGenuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管，工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2，响应度为0.06A/W，反向电压为3V，正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成，具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装，非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nAGenuv的GUVC-T10GD-L是一款光电二极管，波长范围为220至280 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.05 A/W.有关GUVC-T10GD-L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nAGenicom的GUVC-T11GD是一款基于AlGaN的UV-C光电二极管，工作波长为220至280 nm.它由一个肖特基光电二极管组成，提供光伏工作模式。光电二极管的光源功率范围为0.01-100mW/cm2，响应度为0.06A/W，有效面积为0.076mm2。其最大反向电压为3 V，光电流为68 nA.这种光电二极管提供了良好的日盲性，是纯UV-C和消毒灯监测应用的理想选择。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nAGenuv的GUVC-T20GD-U是一款光电二极管，波长范围为220至280 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.06 A/W.有关GUVC-T20GD-U的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GUVV-S10SD是一款光电二极管，波长范围为240至395 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVV-S10SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 20 nAGenuv的GUVV-T10GD-L是一款光电二极管，波长范围为230至395 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVV-T10GD-L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 90 nAGenuv的GUVV-T20GD-U是一款光电二极管，波长范围为230至395 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.15 A/W.有关GUVV-T20GD-U的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 345 to 450 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GVBL-S12SD是一款光电二极管，波长范围为345至450 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.68 A/W.有关GVBL-S12SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 330 to 445 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GVBL-T12GD是一款光电二极管，波长范围为330至445 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GVBL-T12GD的更多详细信息，请联系我们。