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850nm大感光面积和高速硅PIN光电二极管 光电二极管
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850nm大感光面积和高速硅PIN光电二极管

分类： 光电二极管

厂家： OSI Optoelectronics

产地： 美国

型号： 850nm, 1.25Gbps Large Active Area and High Speed Silicon Photodiodes

更新时间： 2024-08-26 00:42:38

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概述

OSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列，具有大感光面积，优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容，适用于1.25Gbps以下的应用，如千兆以太网和光纤通道。

参数

  • 储存温度 / Storage Temperature : -55°C至+125°C
  • 工作温度 / Operating Temperature : -40°C至+75°C
  • 焊接温度 / Soldering Temperature : +260°C
  • 有效面积直径 / Active Area Diameter : 150µm, 250µm, 300µm, 400µm
  • 响应度 / Responsivity : 0.36A/W
  • 暗电流 / Dark Current : 20pA至500pA
  • 电容 / Capacitance : 0.65pF至1.70pF
  • 上升时间 / Rise Time : 35ps至84ps
  • 下降时间 / Fall Time : 200ps至329ps
  • 最大反向电压 / Max. Reverse Voltage : 20V
  • 噪声等效功率 / NEP : 9.29E-15W/√Hz至1.11E-14W/√Hz

应用

1. 高速光通信 2. 单模/多模光纤接收器 3. 千兆以太网/光纤通道 4. SONET/SDH, ATM

特征

1. 高响应度 2. 大感光面积 3. 低电容 4. 低成本

图片集

850nm, 1.25Gbps Large Active Area and High Speed Silicon Photodiodes图1
850nm, 1.25Gbps Large Active Area and High Speed Silicon Photodiodes图2

规格书

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厂家介绍

OSI Optoelectronics成立于2006年，由同一品牌下的多家子公司合并而成，服务于相同的客户和应用。我们的目标是加强我们对核心业务的关注，并利用公司内部的所有资源来提供较好的产品。

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