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850nm大感光面积和高速硅PIN光电二极管 光电二极管
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850nm大感光面积和高速硅PIN光电二极管

分类： 光电二极管

厂家： OSI Optoelectronics

产地： 美国

型号： 850nm, 1.25Gbps Large Active Area and High Speed Silicon Photodiodes

更新时间： 2024-08-26 00:42:38

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概述

OSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列，具有大感光面积，优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容，适用于1.25Gbps以下的应用，如千兆以太网和光纤通道。

参数

  • 储存温度 / Storage Temperature : -55°C至+125°C
  • 工作温度 / Operating Temperature : -40°C至+75°C
  • 焊接温度 / Soldering Temperature : +260°C
  • 有效面积直径 / Active Area Diameter : 150µm, 250µm, 300µm, 400µm
  • 响应度 / Responsivity : 0.36A/W
  • 暗电流 / Dark Current : 20pA至500pA
  • 电容 / Capacitance : 0.65pF至1.70pF
  • 上升时间 / Rise Time : 35ps至84ps
  • 下降时间 / Fall Time : 200ps至329ps
  • 最大反向电压 / Max. Reverse Voltage : 20V
  • 噪声等效功率 / NEP : 9.29E-15W/√Hz至1.11E-14W/√Hz

应用

1. 高速光通信 2. 单模/多模光纤接收器 3. 千兆以太网/光纤通道 4. SONET/SDH, ATM

特征

1. 高响应度 2. 大感光面积 3. 低电容 4. 低成本

规格书

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厂家介绍

OSI Optoelectronics成立于2006年，由同一品牌下的多家子公司合并而成，服务于相同的客户和应用。我们的目标是加强我们对核心业务的关注，并利用公司内部的所有资源来提供较好的产品。

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