C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管

产地：美国

型号： C30662E | C30662EH | C30662EH-1 | C30662EH-3 | C30662EH-7 | C30662ECERH | C30662ECERH-1 | C30645ECERH | C30645E | C30645EH | C30645EH-1 | C30645EH-7

更新时间： 2024-08-27 10:37:22

标签：

低噪声光电探测器光谱响应高响应度大面积

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概述

Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长，适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

参数

活动直径 / Active Diameter : 80-200µm
击穿电压 / Breakdown Voltage (Vbr) : 45-70V
工作点偏离击穿电压 / Operation Point From Breakdown (Vbr-Vop) : 4.0V (C30662EH-1@ M=10)
温度系数 / Temperature Coefficient Of Vbr For Constant Gain : 0.14-0.20V/deg C
响应度 / Responsivity (@ 1550 Nm) : 9.3A/W
暗电流 / Dark Current (@ M=10) (Id) : 1-35nA
噪声等效功率 / Noise Equivalent Power : 11-106fW/√Hz
光谱噪声电流 / Spectral Noise Current (@ M=10) (In) : 0.1-1.5pA/rt(Hz)
电容 / Capacitance : 1.25-2.5pF
带宽 / Bandwidth (@ M=10) : 600-1000MHz
量子效率 / Quantum Efficiency (1300-1550 Nm) : 75%
最大可用增益 / Maximum Useable Gain (M) : 10-20

应用

1.眼安全激光测距 2.光时域反射计（OTDR） 3.光通信系统

特征

1.光谱响应1100 - 1700 nm 2.高响应度 3.耐受意外高光输入 4.大面积 5.符合RoHS标准 6.提供铅焊接产品 7.低噪声产品可用

详述

C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管的产品图片

/nC30645和C30662系列雪崩光电二极管（APDs）是高速度、大面积的InGaAs/InP APDs，提供大量子效率、高响应度和低噪声，适用于1100 nm到1700 nm的光谱范围。它们特别优化用于1550 nm波长，适用于眼安全激光测距和LiDAR系统。Excelitas Technologies的这些APDs具备高质量和可靠性，能够在苛刻的环境中稳定工作，广泛应用于光时域反射计（OTDR）和光通信系统。产品提供多种封装形式，包括TO-18封装和陶瓷载体封装，满足不同应用需求。