PCI series HgCdTe探测器

分类：光电二极管

厂家： VIGO Photonics

产地：波兰

型号： PCI series

更新时间： 2024-08-24 13:19:19

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概述

PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性，通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率（约0.9 µm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。

参数

探测器类型 / Detector Type : epitaxial HgCdTe heterostructure
最佳波长 / Optimal Wavelength λOpt, µM : 5.0, 6.0, 9.0, 10.6
探测率 / Detectivity D*(λPeak, 20kHz), Cm·Hz1/2/W : ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8
探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W / Detectivity D*(λOpt, 20kHz), Cm·Hz1/2/W : ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7
电流响应率-光学面积长度积 / Current Responsivity-Optical Area Length Product Ri(λOpt)·LO, A·Mm/W : ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008
时间常数τ, ns / Time Constant τ, Ns : ≤5000, ≤500, ≤10, ≤3
1/f噪声拐点频率 / 1/F Noise Corner Frequency Fc, Hz : ≤10k, ≤20k
偏压-光学面积长度比 / Bias Voltage-Optical Area Length Ratio Vb/LO, V/Mm : ≤0.45, ≤0.4, ≤0.36, ≤0.3
电阻 / Resistance R, Ω : ≤1200, ≤600, ≤300, ≤120
光学面积AO, mm×mm / Optical Area AO, Mm×Mm : 0.5×0.5, 1×1, 2×2
封装 / Package : TO39, BNC
接受角Φ / Acceptance Angle Φ : ~36°
窗口 / Window : none