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FCI-InGaAs-36C 光电探测器

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

感光区直径: 36µm 芯片尺寸: 450 x 250µm x µm 响应度(1310nm): 0.8 - 0.85A/W 响应度(1550nm): 0.75 - 0.8A/W 电容: VR=5V --- 0.16 - 0.2pF

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器，适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面，非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用，能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。

FCI-InGaAs-WCER-LR 低反射率InGaAs光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -40~+85°C 工作温度: 0~+70°C 焊接温度: ---~+260°C 有效区域: 250X500µm X µm 响应度(λ = 1310nm): 0.85~0.90A/W

OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计，其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管，专为高速通信领域设计，特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。

FCI-H125/250G-InGaAs-XX 高速InGaAs光电探测器

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: 0~+5.5V 输入光功率: ---~+3dBm 电源电流: 26~65mA

FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器，如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器，封装在密封的4针TO-46封装中，适用于高速信号放大。

FCI-H622M-InGaAs-75 高性能InGaAs光电探测器

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: +3~+3.6V 输入光功率: ---~+3dBm 供电电流: ---~22~27mA

FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器，具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中，为高速信号检测和放大提供了理想条件。

FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管，具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸，展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度，使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装，或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率，适用于高速光通信，具有高响应度和宽光谱范围，是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

FCI-InGaAs-XXX-X系列InGaAs光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分，具有出色的响应性，从1100nm到1620nm，允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用，如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

FCI-InGaAs-XXM系列光电探测器阵列

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

有效面积直径: 75µm, Pitch:250µm 响应度: Typ. 0.95A/W @1550nm 电容: Typ. 0.65pF 暗电流: Typ. 0.03nA 最大反向电压: 20V

FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层，能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度，支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座，适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外，500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -40 to +85 °C 工作温度: 0 to +70 °C 焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管，安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控，具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

FCI-InGaAs-XXX-ACER 高速InGaAs光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -40 to +85°C 工作温度: 0 to +70°C 焊接温度: up to +260°C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

FCI-InGaAs-XXX-ACER高速InGaAs光电二极管安装在楔形陶瓷封装上，适用于高速光通信等应用，为高速光通信、千兆以太网等应用提供高响应度和低噪声解决方案。

FCI-InGaAs-XXX-LCER 高速InGaAs光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -40°C - +85°C 工作温度: 0°C - +70°C 焊接温度: --- - +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

FCI-InGaAs-XXX-LCER是OSI Optoelectronics提供的高速InGaAs光电二极管，适用于高速光通信和激光二极管监测。FCI-InGaAs-XXX-LCER高速InGaAs光电二极管，安装在带引线的陶瓷封装上。

FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -40-+85°C 工作温度: 0-+70°C 焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W

FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗，可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控，具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

FCI-InGaAs-XX-XX-XX 高速InGaAs光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -20°C to +90°C 工作温度: 0°C to +75°C 活动区域直径: 75µm to 120µm 响应度(λ=1310nm): 0.75A/W to 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.80A/W to 0.95A/W

FCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装，具有75微米和120微米的活动区域，适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准，并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。

FCI-H125/250G-GaAs-100系列高速GaAs光电探测器

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -40~+125°C 工作温度: 0~+75°C 供电电压: 0~+6V 输入光功率: ---~+5dBm 供电电压: +3~+5.5V

FCI-H125/250G-GaAs-100 series是一款集成了高速GaAs光电探测器和宽动态范围跨阻放大器的紧凑型产品。该系列产品采用100µm的活动区尺寸，封装在4针TO-46或TO-52封装中，为高速信号放大提供了理想条件。

DPIN-222

美国

分类：光电二极管

厂商：Precision Micro-Optics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1 to 1.65 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.45 to 0.65 pF 暗电流: 0.1 to 0.3 nA

来自Precision Micro-Optics的DPIN-222是一款光电二极管，波长范围为1至1.65µm，电容为0.45至0.65 PF，暗电流为0.1至0.3 nA，响应度/光敏度为0.88到0.95 A/W.DPIN-222的更多详情见下文。

DPIN-422

美国

分类：光电二极管

厂商：Precision Micro-Optics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1 to 1.65 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 5 to 6 pF 暗电流: 0.5 to 1 nA

Precision Micro-Optics的DPIN-422是一款光电二极管，波长范围为1至1.65µm，电容为5至6 PF，暗电流为0.5至1 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W，上升时间为3 ns.有关DPIN-422的更多详细信息，请联系我们。

光电倍增器19毫米类型

德国

分类：光电二极管

厂商：ProxiVision GmbH

PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 900nm 波长范围: 115 - 900 nm

Proxivision很高兴推出通道光电倍增管技术，这是一条专注于生命科学和分析应用的新产品线，现在可作为定制的光电倍增管（CPM）探测器和模块提供。CPM是一种超高灵敏度的光学探测器，它取代了传统的光电倍增管（PMT）和雪崩光电二极管（APD）。该器件采用独特的检波器原理，设计紧凑，具有超高增益、高动态范围、极低噪声和快速响应。这种高性能检测器为分析仪器应用提供了基本优势，例如发射光谱、荧光透视以及生物和化学发光。CPM还在生命科学产品、工业和医疗设备以及高能物理方面具有重要优势。

光电倍增管9毫米类型

德国

分类：光电二极管

厂商：ProxiVision GmbH

PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 900nm 波长范围: 115 - 900 nm

Proxivision很高兴推出通道光电倍增管技术，这是一条专注于生命科学和分析应用的新产品线，现在可作为定制的光电倍增管（CPM）探测器和模块提供。CPM是一种超高灵敏度的光学探测器，它取代了传统的光电倍增管（PMT）和雪崩光电二极管（APD）。该器件采用独特的检波器原理，设计紧凑，具有超高增益、高动态范围、极低噪声和快速响应。这种高性能检测器为分析仪器应用提供了基本优势，例如发射光谱、荧光透视以及生物和化学发光。CPM还在生命科学产品、工业和医疗设备以及高能物理方面具有重要优势。

QSPDI-28

美国

分类：光电二极管

厂商：QPhotonics

波长范围: 630 to 1650 nm 电容: 100 to 140 pF 暗电流: 1 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.13 to 0.022 A/W

来自Qphotonics的QSPDI-28是一款光电二极管，波长范围为630至1650 nm，电容为100至140 PF，暗电流为1至2 nA，响应度/光敏度为0.13至0.022 A/W.有关QSPDI-28的更多详细信息，请联系我们。

EPD-1300-0-0.5

奥地利

分类：光电二极管

厂商：Roithner Lasertechnik

光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, InGaAs, InP 电容: 45 pF 暗电流: 250 to 1000 pA 响应度/光敏度: 0.9 A/W

Roithner Lasertechnik的EPD-1300-0-0.5是一款光电二极管，电容为45 PF，暗电流为250至1000 pA，响应度/光敏度为0.9 A/W.有关EPD-1300-0-0.5的更多详细信息，请联系我们。

EPD-1300-0-3.0

奥地利

分类：光电二极管

厂商：Roithner Lasertechnik

光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, InGaAs, InP 电容: 1000 to 1300 pF 暗电流: 5 to 30 pA

Roithner Lasertechnik的EPD-1300-0-3.0是一款光电二极管，电容为1000至1300 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.9 A/W.有关EPD-1300-0-3.0的更多详细信息，请联系我们。