- Hamamatsu Photonics
- APIC Corporation
- DOEHRER Elektrooptik GmbH
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- Electron National Research Institute
- ET Enterprises Ltd
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- Go!Foton
- Kyosemi Opto America Corp
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- Hamamatsu Photonics
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- OSI Laser Diode, Inc.
- OSI Optoelectronics
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- ADIT Electron Tubes
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电容
Capacitance(pF)
确定 取消 -
暗电流
Dark Current(e/px/s)
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity(A/W)
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range(nm)
确定 取消
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家:Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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工作模式: Photovoltaic 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/W
Hamamatsu Photonics的P13243-045CF是一款InAsSb光电二极管,工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W,光谱响应半峰全宽(FWHM)为350nm,探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W,光敏面积为0.7×0.7mm,视场为90°,带通滤波器为4.45μm.上升时间为15 ns,噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2,分流电阻为300 kΩ。P13243-045F采用陶瓷封装,非常适合火焰监测应用。
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工作模式: Photovoltaic 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/W
Hamamatsu Photonics的P13243-045MF是一款InAsSb光电二极管,工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W,光谱响应半峰全宽(FWHM)为350nm,探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W,光敏面积为0.7×0.7mm,带通滤波器为4.45μm,视场为82°。它的上升时间为15 ns,噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2,分流电阻为300 kΩ。P13243-045MF采用TO-46封装,非常适合火焰监测应用。
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工作模式: Photovoltaic 波长范围: 9.7 to 11 µm 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.6 pF
Hamamatsu Photonics的P13894-011CN是一款光谱范围高达11μm的InAsSb红外光电二极管。光敏二极管的光敏面积为1×1mm,灵敏度为2mA/W,探测率为7.0×107cm·Hz1/2/W,最大上升时间为10ns,最大噪声等效功率为2.5×10-9W/Hz1/2。其分流电阻为2K&Ω,终端电容为0.6pF.该光电二极管采用紧凑型表面贴装陶瓷封装,非常适合辐射温度计和气体检测(CH4、CO2、Co、NH3、O3等)应用。