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- OSI Optoelectronics
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电容
Capacitance（pF）
确定 取消 -
暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供57个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 12 pF 暗电流: 25 to 100 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-11-YAG-FL是波长范围为1000nm、电容为12pF、暗电流为25至100nA、响应度/光敏度为0.40A/W、上升时间为15ns的光电二极管。有关SPOT-11-YAG-FL的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 15 pF 暗电流: 30 to 200 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-13-YAG-FL是波长范围为1000nm、电容为15pF、暗电流为30至200nA、响应度/光敏度为0.40A/W、上升时间为15ns的光电二极管。有关SPOT-13-YAG-FL的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 15 pF 暗电流: 1000 to 3000 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的SPOT-15-YAG是波长范围为1000nm、电容为15pF、暗电流为1000至3000nA、响应度/光敏度为0.60A/W、上升时间为36ns的光电二极管。SPOT-15-YAG的更多细节可以在下面看到。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 11 pF 暗电流: 0.15 to 2 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-2D是波长范围为970nm、电容为11pF、暗电流为0.15至2nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为22ns的光电二极管。SPOT-2D的更多细节可以在下面看到。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF 暗电流: 0.05 to 1 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-2DMI是波长范围为970nm、电容为3pF、暗电流为0.05至1nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为11ns的光电二极管。有关SPOT-2DMI的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 7 pF 暗电流: 0.13 to 2 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-3D是波长范围为970nm、电容为7pF、暗电流为0.13至2nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为25ns的光电二极管。SPOT-3D的更多细节可以在下面看到。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 0.10 to 1 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-4D是波长范围为970nm、电容为5pF、暗电流为0.10至1nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为22ns的光电二极管。有关SPOT-4D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 1 to 5 pF 暗电流: 35 to 250 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-9-YAG是波长范围为1000nm、电容为1至5pF、暗电流为35至250nA、响应度/光敏度为0.40A/W、上升时间为18ns的光电二极管。SPOT-9-YAG的更多细节可以在下面看到。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 暗电流: 0.5 to 10 nA来自 OSI Optoelectronics 的SPOT-9D是波长范围为970nm、电容为60pF、暗电流为0.5至10nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为33ns的光电二极管。有关SPOT-9D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 暗电流: 0.5 to 10 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的SPOT-9DMI是波长范围为970nm、电容为60pF、暗电流为0.5至10nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为28ns的光电二极管。有关SPOT-9DMI的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 650 to 860 nm 光电二极管材料: GaAsOSI Optoelectronics的FCI-GaAs-xxM是一款光电二极管，波长范围为650至860 nm，带宽为2 GHz，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.63 A/W.有关FCI-GaAs-xxM的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAsOSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列，光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm，节距为500μm，最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式（活动区域朝上），也可以面朝下组装，从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz，电容为8 PF，暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V，最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列，是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。
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模块: No 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 to 225 pFOSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-Qxxx系列是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为25至225 PF，暗电流为0.5至100 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W，上升时间为3至24 ns.有关FCI-InGaAs-Qxxx系列的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pFOSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-xxM系列是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为2 GHz，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.95 A/W.有关FCI-InGaAs-xxM系列的更多详细信息，请联系我们。
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反向电压: -200V 工作温度: -40~+100ºC 存储温度: -40~+125ºC 型号: PIN-5-YAG, PIN-100-YAG 有效区域: 5.1mm², 100mm²YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化，具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度，非常适合测量低光强度，如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光，用于测距应用。
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反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2SPOT-YAG系列是1064纳米的钕：钇铝石榴石优化的四象限光电二极管，非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计，用于收集在活动区域外部产生的电流，以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间，非常适合低光强度测量，因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式（无偏）下运行，适用于需要低噪声的应用，也可以在光导模式（有偏）下操作，适用于高速、瞄准和指向应用。
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有效面积直径: 0.2-5.0mm 活动区域: 0.03-19.6mm² 存储温度最小值: -55°C 存储温度最大值: +125°C 工作温度最小值: -40°CAPD Series 8-150硅雪崩光电二极管，波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流，适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。
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反向电压: -10V 工作温度: -20ºC~+60ºC 存储温度: -20ºC~+80ºC 响应度@540nm: 0.30~0.35A/W 响应度@920nm: 0.53~0.59A/WBack-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。
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有源面积: 1.3x1.3mm 元素间隙: 0.127mm 光谱范围: 350-1100nm 峰值波长: 980nm 响应度@790nm: 0.52A/WSPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管，适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计，适合与LC插针耦合，具有ϕ200μm激光切割孔，以及反射率测量的后向散射检测。
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波长范围: 350nm-1100nm 激光切割孔径: ϕ200μm 封装尺寸: 24.77mm x 17.65mm x 4.95mmSPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管，适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。