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FCI-InGaAs-300B1XX 多功能背面照射型光电二极管/阵列 光电二极管
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FCI-InGaAs-300B1XX 多功能背面照射型光电二极管/阵列

分类: 光电二极管

厂家: OSI Optoelectronics

产地: 美国

型号: FCI-InGaAs-300B1XX

更新时间: 2024-08-27 16:10:11

900 to 1700 nm Back-Illuminated InGaAs Photodiode/Arrays

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概述

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

参数

  • 模块 / Module : No
  • 光电探测器类型 / Photodetector Type : PIN
  • 工作模式 / Operation Mode : Photoconductive
  • 波长范围 / Wavelength Range : 900 to 1700 nm
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
  • 电容 / Capacitance : 8 to 10 pF
  • 暗电流 / Dark Current : 0.05 to 5 nA
  • 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.80 to 0.85 A/W
  • 元件数量 / No. of Elements : 4 or 8 elements

应用

1. 高速光通信 2.多通道光纤接收器 3.功率监控 4.单/多模光纤接收器 5.快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM 6.仪器仪表和模拟接收器

特征

1.背面照射 2.前后高响应度 3.低噪声 4.光谱范围900nm至1700nm

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厂家介绍

OSI Optoelectronics成立于2006年,由同一品牌下的多家子公司合并而成,服务于相同的客户和应用。我们的目标是加强我们对核心业务的关注,并利用公司内部的所有资源来提供较好的产品。

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