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FCI-InGaAs-300B1XX 多功能背面照射型光电二极管/阵列
简介：
900 to 1700 nm Back-Illuminated InGaAs Photodiode/Arrays
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概述
OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列，光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm，节距为500μm，最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式（活动区域朝上），也可以面朝下组装，从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz，电容为8 PF，暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V，最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列，是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。
参数
- 模块 / Module : No
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : PIN
- 工作模式 / Operation Mode : Photoconductive
- 波长范围 / Wavelength Range : 900 to 1700 nm
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
- 电容 / Capacitance : 8 to 10 pF
- 暗电流 / Dark Current : 0.05 to 5 nA
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.80 to 0.85 A/W
- 元件数量 / No. of Elements : 4 or 8 elements
应用
1. 高速光通信 2.多通道光纤接收器 3.功率监控 4.单/多模光纤接收器 5.快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM 6.仪器仪表和模拟接收器
特征
1.背面照射 2.前后高响应度 3.低噪声 4.光谱范围900nm至1700nm
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厂家介绍
OSI Optoelectronics成立于2006年，由同一品牌下的多家子公司合并而成，服务于相同的客户和应用。我们的目标是加强我们对核心业务的关注，并利用公司内部的所有资源来提供较好的产品。
智推产品
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图片
名称
分类
制造商
参数
描述
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13毫米光电倍增管
光电二极管
ADIT Electron Tubes
波长范围: 290 - 630 nm
光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。
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25毫米封装式光电倍增管 9110V19
光电二极管
ADIT Electron Tubes
波长范围: 300 - 700 nm
9110V19封装光电倍增管（PMT）由一个直径为25mm（1）、结构紧凑、坚固耐用、具有平凹窗口的端窗光电倍增管、高温蓝绿敏感双碱光电阴极和10个圆形聚焦设计的BeCu倍增电极组成。PMT与分压器一起封装在一个高导磁合金*套管中。该类型可在高达125°C的温度下工作，在125°C时的较小平台长度为150 V。
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25毫米光电倍增管L25D19
光电二极管
ADIT Electron Tubes
波长范围: 280 - 600 nm
L25D19是直径为25mm（1）的端窗光电倍增管（PMT），具有蓝绿敏感双碱光电阴极和8个线性聚焦型倍增电极。
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25毫米光电倍增管L25D32系列
光电二极管
ADIT Electron Tubes
波长范围: 280 - 600 nm
L25D32是一种直径为25 mm（1）的端窗光电倍增管（PMT），具有蓝绿敏感的双碱光电阴极和6个线性聚焦型倍增电极。
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光电二极管
OSI Laser Diode, Inc.
APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1260 - 1650 nm
OSI Laser Diode Inc LAPD 3030-SMR是一款30um InGaAs APD，采用3引脚同轴封装
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