Laser Components光电二极管产品目录

H1系列APD接收器，集成前置放大器和温度传感器

德国

分类：光电二极管

厂商：Laser Components

APD 类型: Si, InGaAs 工作波长: 400 - 1100nm 工作波长范围: 900 - 1700 nm

超低噪声H1系列采用12引脚TO-8封装，内置温度传感器，可进行温度补偿。较大带宽为1 MHz至25 MHz，具体取决于版本。

砷化镓雪崩光电二极管IAG-系列

德国

分类：光电二极管

厂商：Laser Components

APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1000 - 1630 nm

IAG系列雪崩光电二极管是较大的商用InGaAsAPD，在1000至1630nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。1550nm处的峰值响应度非常适合人眼安全的测距应用。

低成本雪崩光电二极管阵列SAH-系列

德国

分类：光电二极管

厂商：Laser Components

APD 类型: HgCdTe 工作波长: 800 - 900nm 工作波长范围: 800 - 900 nm

定制的硅APD阵列具有高灵敏度和低串扰，针对800-900 nm波长范围进行了优化。可以容易地以从8到16个元件的可变尺寸来配置阵列。更高的像素计数和多行配置也是可能的。其他选项包括集成电子设备和带通滤波器。

低成本的硅雪崩光电二极管SAH-系列

德国

分类：光电二极管

厂商：Laser Components

APD 类型: Si 工作波长: 905nm 工作波长范围: 400 - 1000 nm

SAH230M2和SAH500M2是采用微型SMD封装的低成本通用硅APD。响应性针对850nm和905nm测距仪进行了优化。

硅雪崩光电二极管SAE-, SAR-, SARF-系列

德国

分类：光电二极管

厂商：Laser Components

APD 类型: Si 工作波长: 250 - 1100nm 工作波长范围: 250 - 1100 nm

硅雪崩光电二极管用于250nm和1100nm之间的波长范围。这些光电二极管的雪崩效应使它们非常适合于检测极弱的光强度。不同的版本针对其各自的波长范围进行优化。

IAG 080X

德国

分类：光电二极管

厂商：Laser Components

来自Laser Components的IAG 080X是一款光学探测器，波长范围为1000至1630 nm，暗电流为1至15 nA，电容为0.32至0.4 PF，带宽为1.5至3 GHz，响应度/光敏度为0.85至1 A/W.IAG 080X的更多详情见下文。

IAG 200X

德国

分类：光电二极管

厂商：Laser Components

来自Laser Components的IAG 200X是一款光学探测器，波长范围为1000至1630 nm，暗电流为8至50 nA，电容为1.5至2 PF，带宽为0.5至2 GHz，响应度/光敏度为0.85至95 A/W.IAG 200X的更多详情见下文。

IAG 350X

德国

分类：光电二极管

厂商：Laser Components

Laser Components的IAG 350X是一款InGaAs雪崩光电二极管，可在1100 nm至1630 nm的光谱范围内进行检测。该探测器在1550nm处的峰值响应度为0.94A/W，在1000~1600nm范围内的量子效率大于70%。它的有源区直径为350微米，带宽高达2.5 GHz.该光电二极管具有大于200kW/cm2的高损伤阈值。芯片密封在改进的TO-46封装中或安装在陶瓷底座上。该探测器是测距应用、自由空间光通信和高分辨率光学相干层析成像的理想选择。