光电查为您提供3个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

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  10 GHz高功率光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：APIC Corporation

  波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.5-0.7A/W 射频带宽: 10.5-13GHz 光电二极管偏压: -3-5V 光饱和功率: 19dBm

  这款产品是一个封装好的InGaAs光电二极管，针对高光输入功率和输出电流线性进行了优化。设计用于RF光纤链路和其他需要高动态范围、低噪声指数和高RF增益的应用。APIC Corporation的10 GHz High Power, High Linearity Photodiode适用于高增益、高动态范围和低噪声指数的RF光纤互连，以及恶劣环境下的微波光子学应用。

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  20 GHz高功率、高线性光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：APIC Corporation

  波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.7-0.8A/W 偏振相关损耗: 0.2-0.3dB 光饱和功率: 17dBm 射频带宽: 15-20GHz

  20 GHz高功率、高线性光电二极管专为RF光纤链路设计，提供高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量。这是一款封装的InGaAs光电二极管（PD），针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽优化，适用于高达20 GHz的RF频率。设计用于需要高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量的RF光纤链路。

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  40 GHz高功率高线性光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：APIC Corporation

  波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.55-0.65A/W 偏振相关损耗: 0.2-0.3dB 饱和光功率: 14dBm 射频带宽: 35-40GHz

  APIC Corporation的40 GHz高功率高线性光电二极管适用于要求高增益、高动态范围的RF over fiber通信链路和恶劣环境下的光通信链路。这是一款封装好的InGaAs光电二极管（PD），针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽进行了优化，以在高达40 GHz的RF频率下运行。该PD设计用于需要高动态范围、低噪声指数和在更高频率下的高RF信号吞吐量的RF over fiber链路。