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10 GHz高功率光电二极管 光电二极管

10 GHz高功率光电二极管

分类: 光电二极管

厂家: APIC Corporation

产地: 美国

型号: 10 GHz High Power, High Linearity Photodiode

更新时间: 2024-08-30 14:17:53

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概述

这款产品是一个封装好的InGaAs光电二极管,针对高光输入功率和输出电流线性进行了优化。设计用于RF光纤链路和其他需要高动态范围、低噪声指数和高RF增益的应用。APIC Corporation的10 GHz High Power, High Linearity Photodiode适用于高增益、高动态范围和低噪声指数的RF光纤互连,以及恶劣环境下的微波光子学应用。

参数

  • 波长范围 / Wavelength Range : 1530-1620nm
  • 响应度 / Responsivity : 0.5-0.7A/W
  • 射频带宽 / RF Bandwidth : 10.5-13GHz
  • 光电二极管偏压 / PD Bias : -3-5V
  • 光饱和功率 / Optical Saturation Power : 19dBm
  • 工作温度 / Operating Temperature : -40-85°C
  • 储存温度 / Storage Temperature : -55-95°C

应用

1. 需要高增益、高动态范围和低噪声指数的RF光纤互连 2. 在恶劣环境中的RFoF链路 3. 微波光子学

特征

1. 超高光功率处理能力—80mW,具有高线性和响应度 2. 非常低的相位噪声 3. 激光焊接装配 4. 密封包装 5. 适用于恶劣环境下的稳定操作 6. K型连接器用于RF接口

详述

APIC Corporation推出的10 GHz High Power, High Linearity Photodiode是一款高性能的光电二极管,专为承受高光输入功率而设计,保证输出电流的高线性。这款光电二极管在RF光纤链路和其他需要高动态范围、低噪声指数和高RF增益的应用中表现卓越。其内部组件采用焊接和激光焊接技术,确保长期可靠性和在恶劣环境下的性能稳定性。此外,该产品的封装没有内置50Ω终端,并且具有DC耦合输出,以实现最大的RF增益。

图片集

10 GHz High Power, High Linearity Photodiode图1

规格书

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厂家介绍

APIC公司成立于1999年,既是研发中心,也是商用激光器和光电探测器的制造商。APIC的核心业务和知识产权是化合物半导体研究、器件设计、芯片制造和模块封装。从2004年到2017年,APIC与美国海军和美国国防部高级研究计划局(DARPA)签订了一份总资金超过1亿美元的主要合同。在这种合作下,他们开发了高度集成的光子学(HIP)设备的技术和原型。这项工作的目标是制造和制作用于电子战、电子监视和通信的HIP设备的原型,这些应用需要在光纤上传输极高保真度的宽带模拟信号。目前,APIC继续进行先进的研究和开发,同时利用其成功的技术为商业和科学应用制造较高性能的设备。

其它

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