FCI-InGaAs-XXM系列光电探测器阵列
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概述
参数
- 有效面积直径 / Active Area Diameter : 75µm, Pitch:250µm
- 响应度 / Responsivity : Typ. 0.95A/W @1550nm
- 电容 / Capacitance : Typ. 0.65pF
- 暗电流 / Dark Current : Typ. 0.03nA
- 最大反向电压 / Max. Reverse Voltage : 20V
- 最大正向电流 / Max. Forward Current : 5mA
- 带宽 / Bandwidth : Typ. 2.0GHz @ 1550nm
- 击穿电压 / Breakdown Voltage : Typ. 50V
- 储存温度范围 / Storage Temperature Range : From –40 to 85°C
- 工作温度范围 / Operating Temperature Range : From 0 to 70°C
应用
1. 高速光通信 2. 单模/多模光纤接收器 3. 千兆以太网/光纤通道 4. SONET/SDH, ATM 5. 光学分流器
特征
1. 高速 2. 高响应度 3. 低噪声 4. 光谱范围900nm至1700nm
规格书
厂家介绍
OSI Optoelectronics成立于2006年,由同一品牌下的多家子公司合并而成,服务于相同的客户和应用。我们的目标是加强我们对核心业务的关注,并利用公司内部的所有资源来提供较好的产品。
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