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FCI-InGaAs-WCER-LR 低反射率InGaAs光电二极管光电二极管

新品

FCI-InGaAs-WCER-LR 低反射率InGaAs光电二极管

分类：光电二极管

厂家： OSI Optoelectronics

产地：美国

型号： FCI-InGaAs-WCER-LR

更新时间： 2024-08-23 17:24:45

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特征
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厂家介绍

概述

OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计，其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管，专为高速通信领域设计，特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。

参数

储存温度 / Storage Temperature : -40~+85°C
工作温度 / Operating Temperature : 0~+70°C
焊接温度 / Soldering Temperature : ---~+260°C
有效区域 / Active Area : 250X500µm X µm
响应度(λ = 1310nm) / Responsivity (λ = 1310nm) : 0.85~0.90A/W
响应度(λ = 1550nm) / Responsivity (λ = 1550nm) : 0.90~0.95A/W
电容 / Capacitance : VR=5.0V --- 15pF
暗电流 / Dark Current : VR=5.0V --- --- 1nA
最大反向电压 / Max. Reverse Voltage : ---~20V
最大反向电流 / Max. Reverse Current : ---~2mA
最大正向电流 / Max. Forward Current : ---~5mA
反射率 / Reflectance : 1520nm≤ λ ≤1620nm --- 0.5~0.6%

应用

1. 波长锁定/波长监控 2. 激光器背面监控 3. 密集波分复用（DWDM） 4. 仪器仪表

特征

1. 反射率小于0.6% 2. 低噪声 3. 高响应度 4. 高速率 5. 光谱范围900nm至1700nm

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厂家介绍

OSI Optoelectronics成立于2006年，由同一品牌下的多家子公司合并而成，服务于相同的客户和应用。我们的目标是加强我们对核心业务的关注，并利用公司内部的所有资源来提供较好的产品。

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