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  C30884EH 硅雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  光敏表面有效面积: 0.5mm² 光敏表面有效直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119 Degrees 名义视场: 132 Degrees 击穿电压: 190-290V

  C30884EH是一种硅雪崩光电二极管，具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造，优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

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  C30626FH系列雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  形状: Square 有效区域: 25mm2 有用尺寸: 4.7x4.7mm 响应度: 22A/W at 900nm 暗电流: 250nA

  C30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器，具有高响应度和低暗电流，适用于高精度光电检测。

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  C30703FH系列硅雪崩光电二极管（Si APD）

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  形状: Square 有效区域: 100mm2 有用尺寸: 10x10mm 响应度: 55A/W 暗电流: 250nA

  C30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器，适用于高精度光学测量。

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  C30739ECERH Series 短波长增强硅雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  工作电压: 400-420V(standard version), 400-450V(high gain version) 增益: 80-100(standard version), 180-200(high gain version) 量子效率: 65-80% at 430nm 响应度: 26A/W(standard version), 52A/W(high gain version) at 430nm and Typical Gain M 温度系数: 1.2V/°C for constant gain

  C30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD，专为各种宽带低光级应用而设计，涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。

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  C30659-UV-1 带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管（Si APD）

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  有效区域: 1x1mm² 带宽范围: 50MHz 工作电压温度系数: 1.0V/°C 指定响应度的Vop: 350-430V 温度传感器灵敏度: -1.8 to -2.4mV/°C

  Excelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器，封装在同一密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。

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  C30659 Series（系列）带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD）

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  光谱响应范围: Si APD: 400nm-1100nm, InGaAs APD: 1100nm-1700nm 系统带宽: 50MHz和200MHz 典型功耗: 150mW 放大器工作电压范围: ±5V AC负载能力: 50Ω (AC-Coupled)

  Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管（APD）与混合前置放大器，在同一个密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。

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  C30737CH Series 硅雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-160Volts 工作电压: 100-150Volts 增益: M=100 响应度: 35A/W@635nm

  C30737CH系列硅雪崩光电二极管采用'侧视'LLC SMD封装，适用于高容量激光测距、区域扫描和手势识别应用。

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  C30737LH-300-7XN Series 低电容硅雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-165Volts 工作电压: 95-155Volts 增益: M=1@Vr=10V 温度系数: 0.6V/°C

  Excelitas Technologies的C30737LH-300-7XN系列是一款低电容硅雪崩光电二极管，封装在无引脚陶瓷载体SMT封装中，适用于高体积激光测距和测距应用。

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  LLAM Series – 900/1060/1060E/1550/1550E 硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收模块

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 V

  Excelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收模块集成了APD、热电制冷器（TEC）以及放大电路，所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。

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  C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 封装: TO-18 Hermetic/TO-18 with Filter/TO-18 Plastic 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200V

  Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管（APD）设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度，并具有大约5纳秒的上升和下降时间，下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

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  C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs）

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  有效面积直径: 230μm/500μm 峰值灵敏度波长: 800nm/900nm 击穿电压: 120-210V/180-260V 温度系数: 0.5V/°C/1.3V/°C 增益: M@800nm/900nm

  Excelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs）适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用，提供500nm至1000nm范围内的高响应度。

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  C30954EH, C30955EH, C30956EH Series 长波长增强硅雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  形状: Circular 封装: TO-5/TO-8 有用面积: 0.5/1.77/7mm2 有用直径: 0.8/1.5/3mm 名义视场: 110/104/135Degrees

  Excelitas的C30954EH、C30955EH和C30956EH是采用双扩散“穿透”结构制成的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计使它们的长波响应（即>900nm）得到增强，同时保持低噪声、低电容以及快速上升和下降时间特性。

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  C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 响应度: 9.4A/W 工作增益: 10-20

  Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs，提供高量子效率和低噪声的高响应度。

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  C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  活动直径: 80-200µm 击穿电压: 45-70V 工作点偏离击穿电压: 4.0V (C30662EH-1@ M=10) 温度系数: 0.14-0.20V/deg C 响应度: 9.3A/W

  Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长，适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

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  C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：Excelitas Technologies

  有用面积: 1.77mm2 有用直径: 1.55mm 击穿电压: 350-485V 增益: 100 量子效率: 85%

  C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管，采用双扩散“穿透”结构，优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区，因此在视线中心没有响应损失。

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  LabM-I-10.6 可编程红外探测模块

  波兰

  分类：光电二极管

  厂商：VIGO Photonics

  有源元件温度: 195K 截止波长(10%): 2.0µm 峰值波长: 8.0-10.0µm 最佳波长: 10.6µm 截止波长(10%): 12.0µm

  LabM-I-10.6是基于HgCdTe TE冷却光学浸入光伏多结探测器的可编程红外探测模块。

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  32EM-5 series 32通道检测模块

  波兰

  分类：光电二极管

  厂商：VIGO Photonics

  检测模块类型: 32EM-5-01, 32EM-5-02 截止波长λcut-on(10%): ≤2.0µm, 3.7±0.2µm 峰值波长λpeak: 4.25±0.2µm, 4.75±0.2µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.6±0.2µm, 5.8±0.2µm

  32EM-5 是一系列 32 通道检测模块。热电冷却的 MWIR 32 元件 HgCdTe 光伏探测器集成了 DC 耦合 32 通道跨阻放大器。

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  LabM-I-5 实验室红外探测模块

  波兰

  分类：光电二极管

  厂商：VIGO Photonics

  截止波长λcut-on(10%): 2.9±1.0µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.5µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.5±0.3µm 探测率D*: ≥1.4×1010cm·Hz1/2/W

  LabM-I-5 是一款实验室红外探测模块，采用基于碲化镉汞异质结构的光学浸没式光电探测器，并集成了跨阻可编程前置放大器。3° 楔形蓝宝石窗口可防止不必要的干扰效应。要正确操作，需要可编程的 "智能 "VIGO 热电冷却器控制器 PTCC-01（单独出售）和智能管理软件（免费软件）。LabM-I-5 模块配有 PTCC-01 和智能管理器，是各种 MWIR 应用中原型设计和研发阶段的最佳解决方案。这套软件可灵活满足系统设计人员的不同需求。

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  PVI-2TE series 两级热电冷却红外光伏探测器

  波兰

  分类：光电二极管

  厂商：VIGO Photonics

  探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0, 3.4, 4.0, 5.0, 6.0, 8.0, 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×10^11, ≥6.0×10^11, ≥4.0×10^11, ≥2.0×10^11, ≥7.0×10^10, ≥4.0×10^9, ≥2.0×10^9 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥5.5×10^11, ≥3.0×10^11, ≥3.0×10^11, ≥9.0×10^10, ≥4.0×10^10, ≥2.0×10^9, ≥1.0×10^9 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.3, ≥1.3, ≥1.5, ≥0.8, ≥0.4

  PVI-2TE系列是基于复杂HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器，经过光学浸没以改进设备参数。探测器在λopt处优化以达到最佳性能，反向偏置可显著提高响应速度和动态范围。

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  PV series 非制冷红外光伏探测器

  波兰

  分类：光电二极管

  厂商：VIGO Photonics

  探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×109 ≥7.0×109 ≥5.0×109 ≥2.0×109 ≥1.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥6.5×109 ≥5.0×109 ≥3.0×109 ≥1.0×109 ≥5.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5 ≥0.8 ≥1.0 ≥1.0 ≥1.0

  PV系列采用基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器，具有最佳性能和稳定性。设备经过优化，在λopt处具有最大性能。截止波长可以根据要求进行优化。反向偏置可能显著增加响应速度和动态范围，并在高频下提高性能，但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。