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  FCI-H125G-010 硅光电探测器加跨阻放大器

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  储存温度: -55 - +125°C 工作温度: -40 - +75°C 供电电压: +3 - +5.5V 输入光功率: --- - +5dBm 电源电流: 38 - 50mA

  FCI-H125G-010是一款针对短波长（850nm）高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250µm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器，并包括一个高增益跨阻放大器，用于产生差分输出电压，以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器，适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。

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  Photop™系列光电二极管放大器混合器

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  有效区域: φ 85 - φ 4500 mm² 暗电流: 2.54 - 11.3 nA 温度范围: 0 - 70°C 响应度: 0.25 - 9.2 A/W 电容: 3 - 300 pF

  Photop™系列将光电二极管与运算放大器结合在同一封装中。这些通用探测器具有从350纳米到1100纳米或200纳米到1100纳米的光谱范围，集成封装确保在各种操作条件下低噪声输出。Photop™系列光电二极管放大器混合器，特点包括可调增益/带宽、低噪声、宽带宽，适用于激光功率监控、医学分析等多种应用。

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  Detector-Filter Combination Series 光电二极管和滤波器组合

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  有效区域: 1 cm2 (PIN-10DF/PIN-10AP), 6 mm2 (PIN-005D-254F) 封装类型: BNC (PIN-10DF/PIN-10AP), TO-5 (PIN-005E-550F/PIN-005D-254F) 光谱响应: 450-950 nm (PIN-10DF), CIE曲线 (PIN-10AP/PIN-555AP), 550 nm (PIN-005E-550F), 254 nm (PIN-005D-254F) 温度范围: 0°C to +70°C 存储温度: -25°C to +85°C

  Detector-Filter Combination Series系列产品结合了滤波器和光电二极管，以实现定制的光谱响应。OSI Optoelectronics提供多种标准和定制组合。根据要求，所有探测器-滤波器组合都可以提供NIST可追溯的校准数据，以安培/瓦特、安培/流明、安培/勒克斯或安培/英尺烛光等形式指定。

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  塑料封装光电二极管系列

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  有效区域: 多种尺寸 响应时间范围: 多种范围 光谱范围: 350-1100 nm 封装类型: 多种类型 暗电流: 多种值

  高质量和可靠性的塑料封装光电二极管系列产品。这些模制设备以多种形状和尺寸的光检测器和封装形式提供，包括行业标准T1和T13/4、平面和带透镜的侧视器以及表面安装版本（SOT-23）。它们非常适合在恶劣环境中安装在PCB和手持设备上。

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  SPOT系列分段光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  活动区域: 0.25-19.6 mm² 响应度: 0.010-0.127 A/W 电容: 1-50 pF 暗电流: 0.01-0.50 nA 噪声等效功率: 2.8e-15-1.9e-14 W/√Hz

  SPOT系列分段光电二极管分为两个或四个独立的活动区域，具有高响应均匀性。适用于精确校准和中心定位，具有高精度、高速响应和优秀的时间及温度稳定性。

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  QD7-0-SD/QD50-0-SD 象限光电二极管阵列

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  暗电流: QD7-0: 0.2 nA (min), 0.47 nA (typ) | QD50-0: 0.54 nA (typ) 反向电压: QD7-0: 30 V (typ) | QD50-0: 10 V (typ) 有效区域: QD7-0: φ 20 mm | QD50-0: φ 125 mm 响应度: QD7-0: 0.4 A/W (typ) at 900 nm | QD50-0: 15.0 A/W (typ) at 900 nm 电容: QD7-0: 15.0 pF (typ) at 0 V | QD50-0: 30.0 pF (typ) at 0 V

  QD7-0-SD和QD50-0-SD是带有关联电路的象限光电二极管阵列，用以提供两个差分信号和一个求和信号。两个差分信号是由光电二极管象限元件对立面感测到的光强度差异的电压模拟。此外，所有4个象限元件的放大求和也作为求和信号提供。这使得QD7-0-SD或QD50-0-SD非常适合光束对准和位置应用。可以实现非常精确的光束对齐，并且电路也可以用于目标获取和对齐。

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  FCI-InGaAs-QXXX 大活动面积InGaAs四象限光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  储存温度: -55~+125°C 工作温度: -40~+75°C 焊接温度: 最高+260°C 活动区域直径: 1000~3000µm 响应度: 0.85~0.90A/W

  FCI-InGaAs-QXXX系列是大活动面积的InGaAs光电二极管，分割成四个独立的活动区域。这些光电二极管有1mm和3mm的活动区域直径。InGaAs四象限系列具有高响应均匀性和元素间低串扰，非常适合精确的零位或中心定位应用以及光束轮廓分析应用。

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  XUV Series 硅光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  反向电压: 5V 工作温度: -20到+60ºC 储存温度: -20到+80ºC 有效区域: 5到100mm2 活动区域尺寸: 具体型号数据参考

  XUV Series独特的硅光电二极管系列，设计用于X射线区域的额外灵敏度，无需闪烁晶体或屏幕。它们在从0.07nm到200nm（6eV到17.6KeV）的宽光谱范围内敏感，每3.63eV的入射能量可产生一个电子-空穴对，对应极高的稳定量子效率。适用于电子检测、医疗仪器等应用。

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  可焊接的光电二极管芯片系列

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  有效区域: 不同型号有4.7mm2到189.0mm2 峰值波长: 不同型号有370nm到8500nm 响应度: 不同型号有A/W单位 并联电阻: 不同型号有(MΩ)单位 暗电流: 不同型号有(nA)单位

  这是一系列可焊接的光电二极管芯片，提供了一种低成本的解决方案，适用于需要大活动区域的光检测器，无论是否带有飞线以便组装，或在检测器被视为“一次性使用”的情况下。这些检测器具有低电容、适度的暗电流、宽动态范围和高开路电压。

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  四边形位置传感器

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  DSNU: 80 DSNU: ±0.010 DSNU: 50 DSNU: -15到+70 DSNU: 670

  四边形位置传感器（Tetra-Lateral Position Sensors）采用单一电阻层制造，适用于一维和二维测量。具有共用阳极和两个或四个阴极，用于一维或二维位置感应。适用于工具对准、水平测量和角度测量等多种应用场景。

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  PIN-4X4D/UDT-4X4D 4x4硅光电探测器阵列

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  有效区域: 1.4x1.4mm(PIN-4X4D), 1.0x1.0mm(UDT-4X4D) 峰值波长: 632nm(PIN-4X4D), 810nm(UDT-4X4D) 响应度: 0.35A/W(PIN-4X4D), 0.40A/W(UDT-4X4D) 电容: 75pF(PIN-4X4D), 35pF(UDT-4X4D) 噪声等效功率: 5.2e-14W/√Hz(PIN-4X4D), 1.0e-14W/√Hz(UDT-4X4D)

  PIN-4X4D和UDT-4X4D是由OSI Optoelectronics生产的4x4硅光电探测器阵列，具有超蓝增强的光电探测功能。其专有设计实现了16个元素之间几乎完全的隔离。标准的LCC封装便于集成到表面安装应用中。用于散射测量和位置感应，具有快速响应和极低串扰的特点。

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  双层夹心探测器系列

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  有效区域: 2.54 φ (PIN-DSS), 1.50 φ (PIN-DSIn) 并联电阻: 50 Ω (PIN-DSS), 300 Ω (PIN-DSIn) 噪声等效功率: 1.3 e -14 W/√Hz (PIN-DSS), 2.1 e -13 W/√Hz (PIN-DSIn) 光谱范围: 400-1100 nm (Si top), 950-1700 nm (InGaAs) 峰值波长: 950 nm (Si), 1300 nm (InGaAs)

  双层夹心探测器系列(Dual Sandwich Detector Series)，又称双色探测器，主要用于远程温度测量。通过比较两个相邻波长的辐射强度与标准黑体辐射曲线，来测量温度。这些设备适合于光学远程测量，具有不受发射率影响和视场中污染物或移动目标的影响等优点。适用于火焰温度感测、分光光度计等应用，具有紧凑、密封性好等特点。

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  UV增强硅光电二极管系列

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  有效区域: 不同型号不同值 响应度: 不同型号不同值 电容: 不同型号不同值 并联电阻: 不同型号不同值 噪声等效功率: 不同型号不同值

  OSI Optoelectronics提供两个独特的UV增强硅光电二极管系列：反型通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备特别设计用于UV区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等应用。

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  紫外线增强硅光电二极管系列

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  活动区域: 5.7 - 100 mm^2 峰值波长: 200 - 980 nm 电容: 65 - 2500 pF 并联电阻: 0.1 - 20 GOhm 噪声等效功率: 3.6E-14 - 8.2E-14 W/√Hz

  OSI Optoelectronics提供两个独特的紫外线增强硅光电二极管系列：反转通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备专门设计用于紫外区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等多种应用。

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  FCI-InGaAs-36C 光电探测器

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  感光区直径: 36µm 芯片尺寸: 450 x 250µm x µm 响应度(1310nm): 0.8 - 0.85A/W 响应度(1550nm): 0.75 - 0.8A/W 电容: VR=5V --- 0.16 - 0.2pF

  OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器，适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面，非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用，能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。

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  FCI-InGaAs-WCER-LR 低反射率InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  储存温度: -40~+85°C 工作温度: 0~+70°C 焊接温度: ---~+260°C 有效区域: 250X500µm X µm 响应度(λ = 1310nm): 0.85~0.90A/W

  OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计，其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管，专为高速通信领域设计，特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。

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  FCI-H125/250G-InGaAs-XX 高速InGaAs光电探测器

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: 0~+5.5V 输入光功率: ---~+3dBm 电源电流: 26~65mA

  FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器，如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器，封装在密封的4针TO-46封装中，适用于高速信号放大。

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  FCI-H622M-InGaAs-75 高性能InGaAs光电探测器

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: +3~+3.6V 输入光功率: ---~+3dBm 供电电流: ---~22~27mA

  FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器，具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中，为高速信号检测和放大提供了理想条件。

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  FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

  FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管，具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸，展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度，使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装，或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率，适用于高速光通信，具有高响应度和宽光谱范围，是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

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  FCI-InGaAs-XXX-X系列InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

  FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分，具有出色的响应性，从1100nm到1620nm，允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用，如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。