光电二极管-理想技术应用-优质供应商-光电查

PD032P00

日本

分类：光电二极管

厂商：牛尾

光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm RoHS: Yes 电容: 25 pF 暗电流: 5 to 30 nA

Ushio Inc.的PD032P00是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为25 PF，暗电流为5至30 nA，上升时间为50 ns.有关PD032P00的更多详细信息，请联系我们。

PD032P96

日本

分类：光电二极管

厂商：牛尾

光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm RoHS: Yes 电容: 25 pF 暗电流: 5 to 30 nA

Ushio Inc.的PD032P96是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为25 PF，暗电流为5至30 nA，上升时间为50 ns.有关PD032P96的更多详细信息，请联系我们。

PD035P00

日本

分类：光电二极管

厂商：牛尾

光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm RoHS: Yes 电容: 25 pF 暗电流: 5 to 30 nA

Ushio Inc.的PD035P00是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为25 PF，暗电流为5至30 nA，上升时间为300至600 ns.有关PD035P00的更多详细信息，请联系我们。

PD035P96

日本

分类：光电二极管

厂商：牛尾

光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm RoHS: Yes 电容: 25 pF 暗电流: 5 to 30 nA

Ushio Inc.的PD035P96是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为25 PF，暗电流为5至30 nA，上升时间为300至600 ns.有关PD035P96的更多详细信息，请联系我们。

PD1300-130D32-I

日本

分类：光电二极管

厂商：牛尾

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 200 pF

Ushio Inc.的PD1300-130D32-I是一款光电二极管，波长范围为1300 nm，电容为200 PF，暗电流为2至20 nA.有关PD1300-130D32-I的更多详细信息，请联系我们。

PD1300-35T00

日本

分类：光电二极管

厂商：牛尾

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 20 pF

Ushio Inc.的PD1300-35T00是一款光电二极管，波长范围为1300 nm，电容为20 PF，暗电流为100 nA，上升时间为5至10 ns.有关PD1300-35T00的更多详细信息，请联系我们。

PD1300-35T32

日本

分类：光电二极管

厂商：牛尾

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 20 pF

Ushio Inc.的PD1300-35T32是一款光电二极管，波长范围为1300 nm，电容为20 PF，暗电流为100 nA，上升时间为5至10 ns.有关PD1300-35T32的更多详细信息，请联系我们。

PD1300-35T52

日本

分类：光电二极管

厂商：牛尾

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 20 pF

Ushio Inc.的PD1300-35T52是一款光电二极管，波长范围为1300 nm，电容为20 PF，暗电流为100 nA，上升时间为5至10 ns.有关PD1300-35T52的更多详细信息，请联系我们。

PD1450-35T32

日本

分类：光电二极管

厂商：牛尾

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1450 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 20 pF

Ushio Inc.的PD1450-35T32是一款光电二极管，波长范围为1450 nm，电容为20 PF，暗电流为100 nA，上升时间为5至10 ns.有关PD1450-35T32的更多详细信息，请联系我们。

PD1450-35T54

日本

分类：光电二极管

厂商：牛尾

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1450 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 15 to 50 pF

Ushio Inc.的PD1450-35T54是一款光电二极管，波长范围为1450 nm，电容为15至50 PF，暗电流为100 nA，上升时间为20 ns.有关PD1450-35T54的更多详细信息，请联系我们。

PVA Series

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 2000 to 5500 nm 光电二极管材料: InAs, InAsSbP

Vigo System的PVA系列是InAs/InAsSb红外光伏探测器，工作波长为2至5.5µm.它们具有超过1.3A/W的电流响应度，并且基于外延InAs/InAsSb异质结构。这些探测器在高达300°C的温度下保持稳定，并且机械耐用。这些器件采用TO39封装，尺寸为0.1 X 0.1 mm.

LabM-I-10.6 可编程红外探测模块

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

有源元件温度: 195K 截止波长(10%): 2.0µm 峰值波长: 8.0-10.0µm 最佳波长: 10.6µm 截止波长(10%): 12.0µm

LabM-I-10.6是基于HgCdTe TE冷却光学浸入光伏多结探测器的可编程红外探测模块。

32EM-5 series 32通道检测模块

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

检测模块类型: 32EM-5-01, 32EM-5-02 截止波长λcut-on(10%): ≤2.0µm, 3.7±0.2µm 峰值波长λpeak: 4.25±0.2µm, 4.75±0.2µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.6±0.2µm, 5.8±0.2µm

32EM-5 是一系列 32 通道检测模块。热电冷却的 MWIR 32 元件 HgCdTe 光伏探测器集成了 DC 耦合 32 通道跨阻放大器。

LabM-I-5 实验室红外探测模块

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

截止波长λcut-on(10%): 2.9±1.0µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.5µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.5±0.3µm 探测率D*: ≥1.4×1010cm·Hz1/2/W

LabM-I-5 是一款实验室红外探测模块，采用基于碲化镉汞异质结构的光学浸没式光电探测器，并集成了跨阻可编程前置放大器。3° 楔形蓝宝石窗口可防止不必要的干扰效应。要正确操作，需要可编程的 "智能 "VIGO 热电冷却器控制器 PTCC-01（单独出售）和智能管理软件（免费软件）。LabM-I-5 模块配有 PTCC-01 和智能管理器，是各种 MWIR 应用中原型设计和研发阶段的最佳解决方案。这套软件可灵活满足系统设计人员的不同需求。

PVI-2TE series 两级热电冷却红外光伏探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0, 3.4, 4.0, 5.0, 6.0, 8.0, 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×10^11, ≥6.0×10^11, ≥4.0×10^11, ≥2.0×10^11, ≥7.0×10^10, ≥4.0×10^9, ≥2.0×10^9 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥5.5×10^11, ≥3.0×10^11, ≥3.0×10^11, ≥9.0×10^10, ≥4.0×10^10, ≥2.0×10^9, ≥1.0×10^9 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.3, ≥1.3, ≥1.5, ≥0.8, ≥0.4

PVI-2TE系列是基于复杂HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器，经过光学浸没以改进设备参数。探测器在λopt处优化以达到最佳性能，反向偏置可显著提高响应速度和动态范围。

PV series 非制冷红外光伏探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥8.0×109 ≥7.0×109 ≥5.0×109 ≥2.0×109 ≥1.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥6.5×109 ≥5.0×109 ≥3.0×109 ≥1.0×109 ≥5.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5 ≥0.8 ≥1.0 ≥1.0 ≥1.0

PV系列采用基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器，具有最佳性能和稳定性。设备经过优化，在λopt处具有最大性能。截止波长可以根据要求进行优化。反向偏置可能显著增加响应速度和动态范围，并在高频下提高性能，但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。

PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36 红外探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

光谱范围: 2.0 to 13.8 µm 光学面积: 1 mm × 1 mm 冷却方式: 3TE 温度传感器: thermistor 探测器封装: TO8

PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一款HgCdTe三级TE冷却光学沉浸光导红外探测器，适用于FTIR光谱。具有2.0至13.8 µm的光谱范围和长期稳定性。

PCI series HgCdTe探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0, 6.0, 9.0, 10.6 探测率: ≥6.0×10^9, ≥2.5×10^9, ≥5.0×10^8, ≥1.0×10^8 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×10^9, ≥1.0×10^9, ≥1.0×10^8, ≥8.0×10^7 电流响应率-光学面积长度积: ≥0.5, ≥0.2, ≥0.02, ≥0.008

PCI系列包含未冷却的红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性，通过光学浸没以改善设备参数。探测器优化以在λopt处实现最佳性能。截止波长受GaAs透射率（约0.9 µm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下运行。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声拐点频率随截止波长增加。

PVAS-5-0.1×0.1-TO39-NW-90 红外光伏探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

探测器类型: Type II superlattice 活性元件材料: epitaxial superlattice heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 1.6±0.2µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.3µm 截止波长λcut-off(10%): 6.2±0.2µm

PVAS-5-0.1×0.1-TO39-NW-90是一种Type II超晶格非制冷红外光伏探测器，具有优异的参数。该探测器不含汞或镉，符合RoHS指令，适用于科研和环境监测。

PC-2TE series 红外光电导探测器

波兰

分类：光电二极管

厂商：VIGO Photonics

探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0-13.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥2.0×1010-≥4.0×107cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥2.3×107cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.5-≥0.002A·mm/W

PC-2TE系列为基于复杂HgCdTe异质结构的双级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以实现最大性能，应在最佳偏压和电流读取模式下操作。低频性能由于1/f噪声而降低，1/f噪声角频率随截止波长增加。该款光电导探测器适用于红外成像、光谱分析、气体检测和热成像。