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APD 0200 -17-T1 InGaAs光电二极管 发光二极管

APD 0200 -17-T1 InGaAs光电二极管

分类: 发光二极管

厂家: ANDANTA GmbH

产地: 德国

型号: APD0200-17-T1 lnGaAs Avalanche Photodiode

更新时间: 2024-12-19 15:38:54

光电探测器 光纤通信 LIDAR 红外传感 lnGaAs

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概述

APD0200-17-T1是一个高可靠性的平面设备,采用热电冷却的TO-46封装,具有高响应性和低噪声特性。

参数

  • 光谱范围 / Spectral Range : 0.95 – 1.65 µm
  • 孔径 / Aperture Size : Ø 200 µm
  • 封装类型 / Package Type : TO-46 / 5P
  • 反向电流 / Reverse Current : 1 mA
  • 正向电流 / Forward Current : 5 mA
  • TEC电流 / TEC Current : 0.65 A
  • 工作温度 / In Operation Temperature : -40 +85 °C
  • 储存温度 / Storage Temperature : -45 +90 °C
  • 暗电流 / Dark Current : 2 nA
  • 工作电压 / Operating Voltage : 30 – 48 V
  • 击穿电压 / Breakdown Voltage : 33 – 53 V
  • 电容 / Capacitance : 2.5 – 3.0 pF
  • 响应度 / Responsivity : 0.9 A/W
  • 可用增益 / Useable Gain : 10 – 20
  • 3dB带宽 / 3dB Bandwidth : 0.8 – 1 GHz
  • 光谱噪声电流 / Spectral Noise Current : 0.5 – 1.5 pA/√Hz
  • 最大冷却能力 / Max Cooling Capability : 35 – 40 °C

应用

1. 光探测与测距(LIDAR) 2. 光纤通信/测试 3. 光谱分析 4. 光学相干层析成像 5. 单光子探测SWIR 6. 隐蔽红外传感

特征

1. 高可靠性平面设备 2. 热电冷却TO-46封装 3. 0.95 – 1.65 µm高响应性 4. 低漏电流和噪声 5. ≥ 800-MHz 3dB带宽 6. 低杂散吸收

详述

APD0200-17-T1 lnGaAs光电探测器是一款高性能的探测器,专为要求高灵敏度和低噪声的应用而设计。它的光谱范围为0.95到1.65微米,适用于多种应用,包括光探测与测距(LIDAR)、光纤通信、光谱分析、光学相干层析成像等。该设备的热电冷却特性确保其在极端温度下的稳定性和可靠性,适合在苛刻环境中使用。其高响应性和≥800-MHz的3dB带宽使其成为单光子SWIR探测及隐蔽红外传感的理想选择。APD0200-17-T1的设计考虑了低漏电流和低噪声,能够满足高精度测量的需求,是光电行业中的一款优秀产品。

图片集

APD0200-17-T1 lnGaAs Avalanche Photodiode图1
APD0200-17-T1 lnGaAs Avalanche Photodiode图2

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厂家介绍

我们在光电探测器和发射器的开发、制造和销售方面拥有30多年的经验。请联系我们-我们将很乐意在选择应用探测器解决方案时向您咨询,或与我们的合作伙伴一起开发个性化定制产品。我们期待着与您的成功合作。

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