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APD 0200 -17-D InGaAs光电二极管芯片 发光二极管

APD 0200 -17-D InGaAs光电二极管芯片

分类: 发光二极管

厂家: ANDANTA GmbH

产地: 德国

型号: APD0200-17-D lnGaAs Avalanche Photodiode Chip

更新时间: 2024-12-19 15:36:48

光电探测器 光纤通信 LIDAR 红外传感 雪崩光电二极管

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概述

APD0200-17-D是一款高可靠性的平面lnGaAs雪崩光电二极管芯片,具有高响应性和低漏电流,适用于多种光电应用。

参数

  • 光谱范围 / Spectral Range : 0.95 – 1.65µm
  • 孔径 / Aperture Size : Ø 200µm
  • 长度 / Length : 460 ± 15µm
  • 宽度 / Width : 460 ± 15µm
  • 厚度 / Thickness : 200 ± 20µm
  • 暗电流 / Dark Current : 5 nA
  • 工作电压 / Operating Voltage (V) : 32 V
  • 击穿电压 / Breakdown Voltage (V) : 35 V
  • 电容 / Capacitance : 2.5 pF
  • 响应度 / Responsivity : 0.9 A/W
  • 可用增益 / Useable Gain : 10
  • 3dB带宽 / 3dB Bandwidth (F 3dB) : 0.85 GHz
  • 光谱噪声电流 / Spectral Noise Current : 0.5 pA/√Hz
  • 正向电压温度系数 / Temperature Coefficient Of V : 0.10 V/°C
  • 反向电流 / Reverse Current : 1 mA
  • 正向电流 / Forward Current : 5 mA
  • 操作温度 / In Operation : -40 +85°C
  • 存储温度 / In Storage : -55 +125°C

应用

1. 光探测与测距(LIDAR) 2. 光纤通信/测试 3. 光谱分析 4. 光学相干断层扫描 5. 单光子SWIR探测 6. 隐蔽红外传感

特征

1. 高可靠性的平面器件 2. 高响应性在0.95 – 1.65µm范围内 3. 低漏电流和噪声 4. ≥ 750-MHz 3dB带宽 5. 低杂散吸收 6. 隐蔽红外检测

详述

APD0200-17-D lnGaAs雪崩光电二极管芯片是一款专为高性能光电应用设计的器件。其光谱范围覆盖0.95至1.65微米,提供高达0.9 A/W的响应度,适合用于光探测与测距(LIDAR)、光纤通信和光谱分析等领域。该芯片具备低漏电流和噪声特性,确保在各种条件下的稳定性和可靠性。同时,其≥750-MHz的3dB带宽使其在高速信号处理应用中表现出色。APD0200-17-D的设计考虑了多种应用场景,是现代光电技术的重要组成部分。

图片集

APD0200-17-D lnGaAs Avalanche Photodiode Chip图1
APD0200-17-D lnGaAs Avalanche Photodiode Chip图2

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厂家介绍

我们在光电探测器和发射器的开发、制造和销售方面拥有30多年的经验。请联系我们-我们将很乐意在选择应用探测器解决方案时向您咨询,或与我们的合作伙伴一起开发个性化定制产品。我们期待着与您的成功合作。

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