APD 0200 -17-D InGaAs光电二极管芯片

分类：发光二极管

厂家： ANDANTA GmbH

产地：德国

型号： APD0200-17-D lnGaAs Avalanche Photodiode Chip

更新时间： 2024-12-19 15:36:48

标签：

光电探测器光纤通信 LIDAR 红外传感雪崩光电二极管

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概述

APD0200-17-D是一款高可靠性的平面lnGaAs雪崩光电二极管芯片，具有高响应性和低漏电流，适用于多种光电应用。

参数

光谱范围 / Spectral Range : 0.95 – 1.65µm
孔径 / Aperture Size : Ø 200µm
长度 / Length : 460 ± 15µm
宽度 / Width : 460 ± 15µm
厚度 / Thickness : 200 ± 20µm
暗电流 / Dark Current : 5 nA
工作电压 / Operating Voltage (V) : 32 V
击穿电压 / Breakdown Voltage (V) : 35 V
电容 / Capacitance : 2.5 pF
响应度 / Responsivity : 0.9 A/W
可用增益 / Useable Gain : 10
3dB带宽 / 3dB Bandwidth (F 3dB) : 0.85 GHz
光谱噪声电流 / Spectral Noise Current : 0.5 pA/√Hz
正向电压温度系数 / Temperature Coefficient Of V : 0.10 V/°C
反向电流 / Reverse Current : 1 mA
正向电流 / Forward Current : 5 mA
操作温度 / In Operation : -40 +85°C
存储温度 / In Storage : -55 +125°C

应用

1. 光探测与测距（LIDAR） 2. 光纤通信/测试 3. 光谱分析 4. 光学相干断层扫描 5. 单光子SWIR探测 6. 隐蔽红外传感

特征

1. 高可靠性的平面器件 2. 高响应性在0.95 – 1.65µm范围内 3. 低漏电流和噪声 4. ≥ 750-MHz 3dB带宽 5. 低杂散吸收 6. 隐蔽红外检测

详述

APD0200-17-D lnGaAs雪崩光电二极管芯片是一款专为高性能光电应用设计的器件。其光谱范围覆盖0.95至1.65微米，提供高达0.9 A/W的响应度，适合用于光探测与测距（LIDAR）、光纤通信和光谱分析等领域。该芯片具备低漏电流和噪声特性，确保在各种条件下的稳定性和可靠性。同时，其≥750-MHz的3dB带宽使其在高速信号处理应用中表现出色。APD0200-17-D的设计考虑了多种应用场景，是现代光电技术的重要组成部分。

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