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APD 0200 -17-C InGaAs光电二极管 发光二极管

APD 0200 -17-C InGaAs光电二极管

分类: 发光二极管

厂家: ANDANTA GmbH

产地: 德国

型号: APD0200-17-C lnGaAs Avalanche Photodiode

更新时间: 2024-12-19 15:35:46

光纤通信 光电探测 LIDAR 高响应度 雪崩光电二极管

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概述

APD0200-17-C是一款高可靠性的平面lnGaAs雪崩光电二极管,具有高响应度和低泄漏电流,适用于多种光电应用。

参数

  • 光谱范围 / Spectral Range : 0.95 – 1.65µm
  • 孔径 / Aperture Size : Ø 200µm
  • 封装类型 / Package Type : 6CLCC (3.0SQ)
  • 暗电流 / Dark Current : 5nA
  • 工作电压 / Operating Voltage : 32V
  • 击穿电压 / Breakdown Voltage : 35V
  • 电容 / Capacitance : 2.5pF
  • 响应度 / Responsivity : 0.9A/W
  • 可用增益 / Useable Gain : 10
  • 3dB带宽 / 3dB Bandwidth : 0.85GHz
  • 光谱噪声电流 / Spectral Noise Current : 0.5pA/√Hz

应用

1. 光探测和测距 (LIDAR) 2. 光纤通信/测试 3. 光谱分析 4. 光学相干断层成像 5. 单光子SWIR探测 6. 隐蔽红外传感

特征

1. 高可靠性平面器件 2. 0.95 – 1.65µm高响应度 3. 低泄漏电流和噪声 4. ≥ 750-MHz 3dB带宽 5. 低杂散吸收

详述

APD0200-17-C lnGaAs雪崩光电二极管是一种高性能的光电器件,专为满足各种应用需求而设计。它具有极高的响应度,特别适合在0.95至1.65微米的光谱范围内工作。这款器件的低泄漏电流和噪声特性,使其在光纤通信、光探测和测距等领域中表现出色。其≥750 MHz的3dB带宽,确保了高频信号的有效传输,适用于高速光通信系统。此外,APD0200-17-C还具备低杂散吸收特性,适合在复杂的光学环境中使用。无论是在科研、工业还是医疗应用中,APD0200-17-C都能提供可靠的性能,是光电技术领域中的优选器件。

图片集

APD0200-17-C lnGaAs Avalanche Photodiode图1

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厂家介绍

我们在光电探测器和发射器的开发、制造和销售方面拥有30多年的经验。请联系我们-我们将很乐意在选择应用探测器解决方案时向您咨询,或与我们的合作伙伴一起开发个性化定制产品。我们期待着与您的成功合作。

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