APD 0200 -17-TO InGaAs光电二极管

分类：发光二极管

厂家： ANDANTA GmbH

产地：德国

型号： APD0200-17-TO lnGaAs Avalanche Photodiode

更新时间： 2024-12-19 15:38:25

标签：

光电光学成像光纤通信 LIDAR 雪崩光电二极管探测器

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概述

APD0200-17-TO 是一款高可靠性的平面型 lnGaAs 雪崩光电二极管，具有优异的响应特性和低噪声，适用于多种应用场景。

参数

光谱范围 / Spectral Range : 0.95 – 1.65 µm
孔径 / Aperture Size : Ø 200 µm
封装类型 / Package Type : TO-46 / 3P
反向电流 / Reverse Current : 1 mA
正向电流 / Forward Current : 5 mA
操作温度 / In Operation : -40 +85 °C
工作温度 / Ambient Temperature : -40 +85 °C
暗电流 / Dark Current : 5 nA
工作电压 / Operating Voltage : 32 – 50 V
击穿电压 / Breakdown Voltage : 35 – 55 V
电容 / Capacitance : 2.5 – 3.0 pF
响应度 / Responsivity : 0.8 – 0.9 A/W
可用增益 / Useable Gain : 10 – 20
3dB带宽 / 3dB Bandwidth : 0.8 – 1 GHz
光谱噪声电流 / Spectral Noise Current : 0.5 – 1.5 pA/√Hz

应用

1. 光探测与测距（LIDAR） 2. 光纤通信/测试 3. 光谱分析 4. 光学相干断层成像 5. 单光子光电探测 6. 隐蔽红外探测

特征

1. 高可靠性平面设备 2. TO-46 封装 3. 在 0.95 – 1.65 µm 范围内高响应 4. 低漏电流和噪声 5. ≥ 800-MHz 3dB 带宽 6. 低杂散吸收

详述

APD0200-17-TO lnGaAs 雪崩光电二极管是一款高性能的光电探测器，专为需要高灵敏度和低噪声的应用而设计。它在0.95至1.65微米的光谱范围内表现出色，适合于光探测与测距（LIDAR）、光纤通信、光谱分析等多个领域。此设备具有较高的响应性和良好的带宽性能，能够在各种环境下稳定工作，确保数据传输的可靠性和准确性。其低漏电流和低噪声特性使得它在高要求的应用中表现尤为突出，适合用于光学相干断层成像和隐蔽红外探测等高端技术。无论是在实验室还是工业应用中，APD0200-17-TO 都是一个理想的选择。

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