美国光电二极管产品目录_生产厂家

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分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: +3~+3.6V 输入光功率: ---~+3dBm 供电电流: ---~22~27mA

FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器，具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中，为高速信号检测和放大提供了理想条件。

FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管，具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸，展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度，使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装，或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率，适用于高速光通信，具有高响应度和宽光谱范围，是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

FCI-InGaAs-XXX-X系列InGaAs光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分，具有出色的响应性，从1100nm到1620nm，允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用，如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

FCI-InGaAs-XXM系列光电探测器阵列

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分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

有效面积直径: 75µm, Pitch:250µm 响应度: Typ. 0.95A/W @1550nm 电容: Typ. 0.65pF 暗电流: Typ. 0.03nA 最大反向电压: 20V

FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层，能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度，支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座，适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外，500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -40 to +85 °C 工作温度: 0 to +70 °C 焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管，安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控，具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

FCI-InGaAs-XXX-ACER 高速InGaAs光电二极管

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分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -40 to +85°C 工作温度: 0 to +70°C 焊接温度: up to +260°C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

FCI-InGaAs-XXX-ACER高速InGaAs光电二极管安装在楔形陶瓷封装上，适用于高速光通信等应用，为高速光通信、千兆以太网等应用提供高响应度和低噪声解决方案。

FCI-InGaAs-XXX-LCER 高速InGaAs光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -40°C - +85°C 工作温度: 0°C - +70°C 焊接温度: --- - +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

FCI-InGaAs-XXX-LCER是OSI Optoelectronics提供的高速InGaAs光电二极管，适用于高速光通信和激光二极管监测。FCI-InGaAs-XXX-LCER高速InGaAs光电二极管，安装在带引线的陶瓷封装上。

FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管

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分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -40-+85°C 工作温度: 0-+70°C 焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W

FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗，可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控，具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

FCI-InGaAs-XX-XX-XX 高速InGaAs光电二极管

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分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -20°C to +90°C 工作温度: 0°C to +75°C 活动区域直径: 75µm to 120µm 响应度(λ=1310nm): 0.75A/W to 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.80A/W to 0.95A/W

FCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装，具有75微米和120微米的活动区域，适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准，并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。

FCI-H125/250G-GaAs-100系列高速GaAs光电探测器

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分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

储存温度: -40~+125°C 工作温度: 0~+75°C 供电电压: 0~+6V 输入光功率: ---~+5dBm 供电电压: +3~+5.5V

FCI-H125/250G-GaAs-100 series是一款集成了高速GaAs光电探测器和宽动态范围跨阻放大器的紧凑型产品。该系列产品采用100µm的活动区尺寸，封装在4针TO-46或TO-52封装中，为高速信号放大提供了理想条件。

10 GHz高功率光电二极管

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分类：光电二极管

厂商：APIC Corporation

波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.5-0.7A/W 射频带宽: 10.5-13GHz 光电二极管偏压: -3-5V 光饱和功率: 19dBm

这款产品是一个封装好的InGaAs光电二极管，针对高光输入功率和输出电流线性进行了优化。设计用于RF光纤链路和其他需要高动态范围、低噪声指数和高RF增益的应用。APIC Corporation的10 GHz High Power, High Linearity Photodiode适用于高增益、高动态范围和低噪声指数的RF光纤互连，以及恶劣环境下的微波光子学应用。

20 GHz高功率、高线性光电二极管

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分类：光电二极管

厂商：APIC Corporation

波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.7-0.8A/W 偏振相关损耗: 0.2-0.3dB 光饱和功率: 17dBm 射频带宽: 15-20GHz

20 GHz高功率、高线性光电二极管专为RF光纤链路设计，提供高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量。这是一款封装的InGaAs光电二极管（PD），针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽优化，适用于高达20 GHz的RF频率。设计用于需要高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量的RF光纤链路。

40 GHz高功率高线性光电二极管

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分类：光电二极管

厂商：APIC Corporation

波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.55-0.65A/W 偏振相关损耗: 0.2-0.3dB 饱和光功率: 14dBm 射频带宽: 35-40GHz

APIC Corporation的40 GHz高功率高线性光电二极管适用于要求高增益、高动态范围的RF over fiber通信链路和恶劣环境下的光通信链路。这是一款封装好的InGaAs光电二极管（PD），针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽进行了优化，以在高达40 GHz的RF频率下运行。该PD设计用于需要高动态范围、低噪声指数和在更高频率下的高RF信号吞吐量的RF over fiber链路。