美国光电二极管产品目录_生产厂家

NXIR-5C

美国

分类：光电二极管

厂商：Opto Diode

波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 1 to 3 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W

Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外（NIR）增强型光电二极管，圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度，在850 nm时为0.62 A/W，在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流，在10伏时具有5皮法（PF）的低电容，以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件（SMD）封装。坚固的封装具有AR涂层窗口，可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准，并以卷带和卷盘形式提供。

NXIR-RF100

美国

分类：光电二极管

厂商：Opto Diode

波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 0.75 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W

Opto Diode Corporation的NXIR-RF100是一款光电二极管，波长范围为320至1100 nm，电容为3 PF，暗电流为0.1至0.75 nA，响应度/光敏度为0.35至0.62 A/W，上升时间为50 nsec.有关NXIR-RF100的更多详细信息，请联系我们。

NXIR-RF100C

美国

分类：光电二极管

厂商：Opto Diode

模块: Yes 波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 0.75 nA

Opto Diode Corporation的NXIR-RF100C是一款表面贴装光电二极管，工作波长为320至1100 nm.它的感光面积为1×1mm，灵敏度为0.62A/W（λ=850nm），0.35A/W（λ=1064nm）。光电二极管是激光监测、雨水和阳光传感器应用的理想选择。

SXUV100TF135

美国

分类：光电二极管

厂商：Opto Diode

光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 18 to 80 nm RoHS: yes 电容: 220 to 350 pF

Opto Diode Corporation的SXUV100TF135是一款集成薄膜滤波器的光电二极管，工作波长为18至80 nm.该100平方毫米的光电二极管在40纳米处具有0.15 A/W的响应度。它带有保护罩，可以在-10到40摄氏度的温度下工作。

SXUV100TF135B

美国

分类：光电二极管

厂商：Opto Diode

光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 12 to 18 nm RoHS: Yes 电容: 5 to 20 pF

Opto Diode Corporation的SXUV100TF135B是一款集成薄膜滤波器的100平方毫米光电二极管。它的探测范围为12~18nm，在13.5nm处的响应度为0.09A/A.光电二极管具有10兆欧的高分流电阻。它可在黑色塑料容器中的带有保护盖的陶瓷载体中使用。

SXUV5

美国

分类：光电二极管

厂商：Opto Diode

光电二极管公司的SXUV5是一种有效面积为5mm2的EUV（极紫外）圆形光电二极管。这款高速光电二极管具有卓越的13.5 nm光刻能力，在1至90 nm的极端UV曝光中具有稳定的响应度，使其成为EUV光最关键测量的理想选择。该器件具有高达1500 PF的电容、高达1 ns的响应时间和高达0.34 A/W的响应度。在大气环境中，该器件的工作温度范围为-10°C至+40°C，在氮气或真空环境中，该器件的工作温度范围为-20°C至+80°C.这款光电二极管符合RoHS规范，采用TO-5封装。

DET100A2

美国

分类：光电二极管

厂商：索雷博

模块: Yes 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon

Thorlabs Inc的DET100A2是一款偏置硅探测器模块，可探测320至1100 nm波长范围内的光信号。其光电二极管的有效面积为75.4 mm2，输出电流高达10 mA.该探测器的上升时间为35 ns，峰值响应为0.72 A/W，偏置电压为10 V，暗电流最高可达10 nA.它有一个可拆卸的1 “光耦合器，可轻松安装ND滤光片、光谱滤光片、光纤适配器（SMA、F和ST型）和其他1 ”可堆叠镜头安装配件。该探测器可使用40 mAh 12 V电池工作，封装尺寸为70.9 X 49.8 X 22.5 mm.

FD11A

美国

分类：光电二极管

厂商：索雷博

波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pF 暗电流: 2 pA

Thorlabs的FD11A是一款硅光电二极管，工作波长范围为320至1100 nm.它的上升时间为400 ns，有效面积为1.21 mm2。光电二极管采用TO-18封装。

SM05PD3A

美国

分类：光电二极管

厂商：索雷博

波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 140 pF 暗电流: 20 to 100 nA 响应度/光敏度: 0.60 A/W

来自Thorlabs的SM05PD3A是一款贴装式硅光电二极管，工作波长范围为320至1100 nm.它是测量脉冲和连续光纤光源的理想选择。光电二极管安装在方便的SM05（Ø0.535-40）外螺纹管中，响应度为0.60 A/W.

2651A

美国

分类：光电二极管

厂商：EMCORE Corporation

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1100 to 1600 nm RoHS: Yes 电容: 0.35 to 0.4 pF 暗电流: 5 to 50 nA

来自Emcore Corporation的2651A是一款光电二极管，波长范围为1100至1600 nm，带宽为1000 MHz，电容为0.35至0.4 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.90至0.98 A/W.

2651E

美国

分类：光电二极管

厂商：EMCORE Corporation

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1100 to 1600 nm RoHS: Yes 电容: 0.35 to 0.4 pF 暗电流: 5 to 50 nA

来自Emcore Corporation的2651E是一款光电二极管，波长范围为1100至1600 nm，带宽为3000 MHz，电容为0.35至0.4 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.90至0.98 A/W.

FCI-GaAs-XXM

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 650 to 860 nm 光电二极管材料: GaAs

OSI Optoelectronics的FCI-GaAs-xxM是一款光电二极管，波长范围为650至860 nm，带宽为2 GHz，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.63 A/W.有关FCI-GaAs-xxM的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-300B1XX 多功能背面照射型光电二极管/阵列

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列，光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm，节距为500μm，最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式（活动区域朝上），也可以面朝下组装，从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz，电容为8 PF，暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V，最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列，是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

FCI-InGaAs-QXXX series

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

模块: No 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 to 225 pF

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-Qxxx系列是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为25至225 PF，暗电流为0.5至100 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W，上升时间为3至24 ns.有关FCI-InGaAs-Qxxx系列的更多详细信息，请联系我们。

FCI-InGaAs-XXM series

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-xxM系列是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为2 GHz，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.95 A/W.有关FCI-InGaAs-xxM系列的更多详细信息，请联系我们。

NR6800 Series

美国

分类：光电二极管

厂商：CEL

光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1310 nm 光电二极管材料: InGaAs 暗电流: 7 µA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.94 A/W

CEL的NR6800系列是一款光电二极管，波长范围为1310 nm，暗电流为7µA，响应度/光敏度为0.80至0.94 A/W.有关NR6800系列的更多详细信息，请联系我们。

NR8300FP-CC

美国

分类：光电二极管

厂商：CEL

模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 pF 暗电流: 5 µA

CEL的NR8300FP-CC是一款光电二极管，波长范围为1310 nm、1550 nm，电容为0.35 PF，暗电流为5µA，响应度/光敏度为0.80至0.96 A/W.有关NR8300FP-CC的更多详细信息，请联系我们。

NR8360JP-BC

美国

分类：光电二极管

厂商：CEL

模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1 to 1.7 pF 暗电流: 5 µA

CEL的NR8360JP-BC是一款光电二极管，波长范围为1310 nm、1550 nm，电容为1至1.7 PF，暗电流为5µA，响应度/光敏度为0.73至1 A/W.有关NR8360JP-BC的更多详细信息，请联系我们。

NR8800FS-CB

美国

分类：光电二极管

厂商：CEL

模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1310 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.5 to 0.75 pF

CEL的NR8800FS-CB是一款光电二极管，波长范围为1310 nm，电容为0.5至0.75 PF，暗电流为7µA，响应度/光敏度为0.8至0.94 A/W.有关NR8800FS-CB的更多详细信息，请联系我们。

118D25

美国

分类：光电二极管

厂商：Broadcom

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1260 to 1620 nm 光电二极管材料: InGaAs/ InP RoHS: Yes

Broadcom的118D25是一款光电二极管，波长范围为1260至1620 nm.有关118D25的更多详细信息，请联系我们。