美国光电二极管产品目录_生产厂家

FD1500W Series

美国

分类：光电二极管

厂商：Fermionics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 300 to 450 pF 响应度/光敏度: 0.1 to 0.95 A/W

Fermionics Opto-Technology的FD1500W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为300至450 PF，响应度/光敏度为0.1至0.95 A/W.有关FD1500W系列的更多详细信息，请联系我们。

FD2000W Series

美国

分类：光电二极管

厂商：Fermionics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 400 to 1000 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.95 A/W

Fermionics Opto-Technology的FD2000W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为400至1000 PF，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W.有关FD2000W系列的更多详细信息，请联系我们。

FD300 Series

美国

分类：光电二极管

厂商：Fermionics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 4 to 7 pF 暗电流: 1 to 5 nA

Fermionics Opto-Technology的FD300系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为4至7 PF，暗电流为1至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W，上升时间为0.4至1.5 ns.有关FD300系列的更多详细信息，请联系我们。

FD3000W Series

美国

分类：光电二极管

厂商：Fermionics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 750 to 1800 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.95 A/W

Fermionics Opto-Technology的FD3000W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为750至1800 PF，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W.有关FD3000W系列的更多详细信息，请联系我们。

FD50 Series

美国

分类：光电二极管

厂商：Fermionics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.25 to 0.4 pF 暗电流: 0.1 to 1 nA

Fermionics Opto-Technology的FD50系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为0.25至0.4 PF，暗电流为0.1至1 nA，响应度/光敏度为0.8至0.90 A/W，上升时间为100至200 PS.有关FD50系列的更多详细信息，请联系我们。

FD500 Series

美国

分类：光电二极管

厂商：Fermionics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 15 to 25 pF 暗电流: 8 to 15 nA

Fermionics Opto-Technology的FD500系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为15至25 PF，暗电流为8至15 nA，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W，上升时间为1至3 ns.有关FD500系列的更多详细信息，请联系我们。

FD5000W Series

美国

分类：光电二极管

厂商：Fermionics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 2000 to 3500 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.95 A/W

Fermionics Opto-Technology的FD5000W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为2000至3500 PF，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W.有关FD5000W系列的更多详细信息，请联系我们。

FD80 Series

美国

分类：光电二极管

厂商：Fermionics

光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.4 to 0.75 pF 暗电流: 0.1 to 1 nA

Fermionics Opto-Technology的FD80系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为0.4至0.75 PF，暗电流为0.1至1 nA，响应度/光敏度为0.8至0.90 A/W，上升时间为0。有关FD80系列的更多详细信息，请联系我们。

GAP5000

美国

分类：光电二极管

厂商：GPD Optoelectronics

波长范围: 850 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 750 to 2500 pF 暗电流: 5 to 10 µA 响应度/光敏度: 0.10 to 0.95 A/W

GPD Optoelectronics的GAP5000是一款光电二极管，波长范围为850至1550 nm，带宽为4 MHz，电容为750至2500 PF，暗电流为5至10µA，响应度/光敏度为0.10至0.95 A/W.有关GAP5000的更多详细信息，请联系我们。

IAV200

美国

分类：光电二极管

厂商：GPD Optoelectronics

光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

GPD Optoelectronics的IAV200是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV200的更多详细信息，请联系我们。

IAV202

美国

分类：光电二极管

厂商：GPD Optoelectronics

光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

GPD Optoelectronics的IAV202是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV202的更多详细信息，请联系我们。

IAV203

美国

分类：光电二极管

厂商：GPD Optoelectronics

光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

GPD Optoelectronics的IAV203是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV203的更多详细信息，请联系我们。

IAV204

美国

分类：光电二极管

厂商：GPD Optoelectronics

光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

GPD Optoelectronics的IAV204是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV204的更多详情见下文。

IAV205

美国

分类：光电二极管

厂商：GPD Optoelectronics

光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nA

GPD Optoelectronics的IAV205是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV205的更多详情见下文。

IAV350

美国

分类：光电二极管

厂商：GPD Optoelectronics

光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 25 nA

GPD Optoelectronics的IAV350是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV350的更多详细信息，请联系我们。

IAV352

美国

分类：光电二极管

厂商：GPD Optoelectronics

光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nA

GPD Optoelectronics的IAV352是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至250 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.

IAV353

美国

分类：光电二极管

厂商：GPD Optoelectronics

光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nA

GPD Optoelectronics的IAV353是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至250 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.

IAV80

美国

分类：光电二极管

厂商：GPD Optoelectronics

光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

GPD Optoelectronics的IAV80是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV80的更多详细信息，请联系我们。

IAV80BL

美国

分类：光电二极管

厂商：GPD Optoelectronics

光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

GPD Optoelectronics的IAV80BL是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV80BL的更多详细信息，请联系我们。

IAV80PTS

美国

分类：光电二极管

厂商：GPD Optoelectronics

光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nA

GPD Optoelectronics的IAV80PTS是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV80PTS的更多详情见下文。