- 美国
- APIC Corporation
- Eddy Co
- 爱特蒙特光学
- Fermionics
- Luna Innovations
- Go!Foton
- Macom
- Analog Module Inc.
- Broadcom
- CEL
- Electro Optical Components
- EMCORE Corporation
- Excelitas Technologies
- GPD Optoelectronics
- Marktech Optoelectronics
- NP Photonics, Inc.
- OSI Laser Diode, Inc.
- OSI Optoelectronics
- Precision Micro-Optics
- QPhotonics
- Sensors Unlimited
- 索雷博
- Vishay Intertechnology
- ADIT Electron Tubes
-
电容
Capacitance（pF）
确定 取消 -
暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
-
专业选型
-
正规认证
-
品质保障
-
FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
-
APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供813个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
-
光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nAGPD Optoelectronics的IAV81是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV81的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nAGPD Optoelectronics的IAV82是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV82的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: PIN 波长范围: 1 to 1.65 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.45 to 0.65 pF 暗电流: 0.1 to 0.3 nA
来自Precision Micro-Optics的DPIN-222是一款光电二极管，波长范围为1至1.65µm，电容为0.45至0.65 PF，暗电流为0.1至0.3 nA，响应度/光敏度为0.88到0.95 A/W.DPIN-222的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 波长范围: 1 to 1.65 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 5 to 6 pF 暗电流: 0.5 to 1 nA
Precision Micro-Optics的DPIN-422是一款光电二极管，波长范围为1至1.65µm，电容为5至6 PF，暗电流为0.5至1 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W，上升时间为3 ns.有关DPIN-422的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 0.8 µm to 1.7 µm 光电二极管材料: InGaAsSensors Unlimited的LDB系列是一款光电二极管，波长范围为0.8µm至1.7µm，响应度/光敏度为10.5 nV/光子。有关LDB系列的更多详细信息，请联系我们。
-
模块: Yes 波长范围: 800 to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 响应度/光敏度: 10.5 A/WSensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm，像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能，可防止电荷从饱和像素流出，并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路（ROIC）集成，可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线，以实现最佳ROIC性能，并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成，用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD保护模块，非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。
-
光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 0.8 µm to 1.7 µm 光电二极管材料: InGaAsSensors Unlimited的LSB系列是一款光电二极管，波长范围为0.8µm至1.7µm，响应度/光敏度为10.5 nV/光子。有关LSB系列的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 0.8 µm to 1.7 µm 光电二极管材料: InGaAsSensors Unlimited的SU1024LE-1.7是一款光电二极管，波长范围为0.8µm至1.7µm，响应度/光敏度为10.5 nV/光子。有关SU1024LE-1.7的更多详细信息，请联系我们。
-
模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 200 to 400 nm 光电二极管材料: SiC来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度，并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用，包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管（PMT）的固态替代品。
-
击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有效面积直径: 500μmExcelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD，能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式（Vop > VBD）以检测单光子，或者在Linear模式（Vop < VBD）下工作，增益可达250。
-
击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有用面积: 0.2mm2Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。
-
封装: TO-5 有用面积: 0.5mm² 有用直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119Degrees 名义视场: 132DegreesC30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管，采用双扩散“穿透”结构制造，可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。
-
光敏表面有效面积: 0.5mm² 光敏表面有效直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119 Degrees 名义视场: 132 Degrees 击穿电压: 190-290VC30884EH是一种硅雪崩光电二极管，具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造，优化了在1000纳米以下波长的高响应度。
-
形状: Square 有效区域: 25mm2 有用尺寸: 4.7x4.7mm 响应度: 22A/W at 900nm 暗电流: 250nAC30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器，具有高响应度和低暗电流，适用于高精度光电检测。
-
形状: Square 有效区域: 100mm2 有用尺寸: 10x10mm 响应度: 55A/W 暗电流: 250nAC30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器，适用于高精度光学测量。
-
工作电压: 400-420V(standard version), 400-450V(high gain version) 增益: 80-100(standard version), 180-200(high gain version) 量子效率: 65-80% at 430nm 响应度: 26A/W(standard version), 52A/W(high gain version) at 430nm and Typical Gain M 温度系数: 1.2V/°C for constant gainC30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD，专为各种宽带低光级应用而设计，涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。
-
有效区域: 1x1mm² 带宽范围: 50MHz 工作电压温度系数: 1.0V/°C 指定响应度的Vop: 350-430V 温度传感器灵敏度: -1.8 to -2.4mV/°CExcelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器，封装在同一密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。
-
光谱响应范围: Si APD: 400nm-1100nm, InGaAs APD: 1100nm-1700nm 系统带宽: 50MHz和200MHz 典型功耗: 150mW 放大器工作电压范围: ±5V AC负载能力: 50Ω (AC-Coupled)Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管（APD）与混合前置放大器，在同一个密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。
-
活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-160Volts 工作电压: 100-150Volts 增益: M=100 响应度: 35A/W@635nmC30737CH系列硅雪崩光电二极管采用'侧视'LLC SMD封装，适用于高容量激光测距、区域扫描和手势识别应用。
-
活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-165Volts 工作电压: 95-155Volts 增益: M=1@Vr=10V 温度系数: 0.6V/°CExcelitas Technologies的C30737LH-300-7XN系列是一款低电容硅雪崩光电二极管，封装在无引脚陶瓷载体SMT封装中，适用于高体积激光测距和测距应用。