-
电容
Capacitance（pF）
确定 取消 -
暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
-
专业选型
-
正规认证
-
品质保障
-
FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
-
APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1211个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
-
工作电压: 400-420V(standard version), 400-450V(high gain version) 增益: 80-100(standard version), 180-200(high gain version) 量子效率: 65-80% at 430nm 响应度: 26A/W(standard version), 52A/W(high gain version) at 430nm and Typical Gain M 温度系数: 1.2V/°C for constant gainC30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD，专为各种宽带低光级应用而设计，涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。
-
有效区域: 1x1mm² 带宽范围: 50MHz 工作电压温度系数: 1.0V/°C 指定响应度的Vop: 350-430V 温度传感器灵敏度: -1.8 to -2.4mV/°CExcelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器，封装在同一密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。
-
光谱响应范围: Si APD: 400nm-1100nm, InGaAs APD: 1100nm-1700nm 系统带宽: 50MHz和200MHz 典型功耗: 150mW 放大器工作电压范围: ±5V AC负载能力: 50Ω (AC-Coupled)Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管（APD）与混合前置放大器，在同一个密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。
-
活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-160Volts 工作电压: 100-150Volts 增益: M=100 响应度: 35A/W@635nmC30737CH系列硅雪崩光电二极管采用'侧视'LLC SMD封装，适用于高容量激光测距、区域扫描和手势识别应用。
-
活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-165Volts 工作电压: 95-155Volts 增益: M=1@Vr=10V 温度系数: 0.6V/°CExcelitas Technologies的C30737LH-300-7XN系列是一款低电容硅雪崩光电二极管，封装在无引脚陶瓷载体SMT封装中，适用于高体积激光测距和测距应用。
-
系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 VExcelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收模块集成了APD、热电制冷器（TEC）以及放大电路，所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。
-
有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 封装: TO-18 Hermetic/TO-18 with Filter/TO-18 Plastic 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200VExcelitas的C30724系列雪崩光电二极管（APD）设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度，并具有大约5纳秒的上升和下降时间，下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。
-
有效面积直径: 230μm/500μm 峰值灵敏度波长: 800nm/900nm 击穿电压: 120-210V/180-260V 温度系数: 0.5V/°C/1.3V/°C 增益: M@800nm/900nmExcelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs）适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用，提供500nm至1000nm范围内的高响应度。
-
形状: Circular 封装: TO-5/TO-8 有用面积: 0.5/1.77/7mm2 有用直径: 0.8/1.5/3mm 名义视场: 110/104/135DegreesExcelitas的C30954EH、C30955EH和C30956EH是采用双扩散“穿透”结构制成的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计使它们的长波响应（即>900nm）得到增强，同时保持低噪声、低电容以及快速上升和下降时间特性。
-
击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 响应度: 9.4A/W 工作增益: 10-20Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs，提供高量子效率和低噪声的高响应度。
-
活动直径: 80-200µm 击穿电压: 45-70V 工作点偏离击穿电压: 4.0V (C30662EH-1@ M=10) 温度系数: 0.14-0.20V/deg C 响应度: 9.3A/WExcelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长，适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。
-
有用面积: 1.77mm2 有用直径: 1.55mm 击穿电压: 350-485V 增益: 100 量子效率: 85%C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管，采用双扩散“穿透”结构，优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区，因此在视线中心没有响应损失。
-
光电探测器类型: PIN 波长范围: 400 to 1100 nm 电容: 3.5 to 20 pF 暗电流: 0.2 nA 响应度/光敏度: 0.4 to 0.52 A/WFirst Sensor的500128是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为3.5至20 PF，暗电流为0.2 nA，响应度/光敏度为0.4至0.52 A/W.500128的更多详情见下文。
-
模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: Scintillator RoHS: YesFirst Sensor的50147701是一款光电二极管，电容为80至500 PF，暗电流为1.5至2.5 nA，响应度/光敏度为0.27 A/W，上升时间为1µs.有关50147701的更多详细信息，请联系我们。
-
模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: Scintillator RoHS: YesFirst Sensor的50147702是一款光电二极管，电容为80至500 PF，暗电流为1.5至2.5 nA，响应度/光敏度为0.27 A/W，上升时间为1µs.有关50147702的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 370 nm 光电二极管材料: GaN 暗电流: 1 nAGenuv的GUVA-C22SD是一款光电二极管，波长范围为240至370 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.14 A/W.有关GUVA-C22SD的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 370 nm 光电二极管材料: GaN 暗电流: 90 nAGenuv的GUVA-T21GD-U是一款光电二极管，波长范围为220至370 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVA-T21GD-U的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GUVB-C21SD是一款肖特基光电二极管，工作波长范围为260至320 nm.它的光功率为0.01-100mW/cm2，有效面积为0.076mm2。该光电二极管的正向电流为1 mA，反向电压为3 V.其暗电流为1 nA，光电流为115 nA，响应度为0.2 A/W.该光电二极管采用氮化铝镓制造，具有光伏工作模式。它是UV-B灯和紫外线指数监测应用的理想选择。
-
光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nAGenuv的GUVB-T11GD-L是一款光电二极管，波长范围为220至320 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD-L的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nAGenuv的GUVB-T11GD是一款光电二极管，波长范围为220至320 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD的更多详细信息，请联系我们。