FilmTek™2000 PAR-SE组合计量生产线是我们较先进的台式计量解决方案，具有业内较高的准确度、精度和多功能性。FilmTek™2000 PAR-SE的设计旨在满足从研发到生产的几乎所有先进薄膜测量应用的需求。FilmTek™2000 PAR-SE结合了光谱椭圆偏振法和DUV多角度偏振反射法，具有宽光谱范围，可满足较具挑战性的测量需求。SCI的专利抛物面镜技术可实现低至50µm的小光斑尺寸，非常适合直接测量产品晶圆和图案化薄膜。FilmTek™2000 PAR-SE结合了专利多角度差分偏振（MADP）和差分功率谱密度（DPSD）技术，利用多角度偏振光谱反射计独立测量薄膜厚度和折射率。通过独立测量折射率和厚度，FilmTek™2000 PAR-SE对薄膜（尤其是多层堆叠中的薄膜）的变化比依赖于传统椭圆偏振或反射测量技术的现有计量工具更加敏感。FilmTek™2000 PAR-SE是一个完全集成的软件包，配有先进的材料建模软件，即使是较严格的测量任务也能可靠和直观地完成。硬件和软件都可以轻松修改，以满足客户的独特需求。

具有USB2.0接口的便携式快速精确光束定位系统。该系统基于24位A/D电子盒，通过USB2.0端口供电。它在一个系统中提供一个或两个PSD的同时操作。PSD是横向效应型或四象限型。有多种传感头类型和尺寸。当使用500 Hz数字滤波器时，更新速率高达150 Hz。光谱范围为350-1100nm。支持的操作系统包括WindowsXP、Vista、7.0（32位和64位）。

来自Opto Diode Corporation的ODD-SXUV-DLPSD是波长范围为1至400 nm、上升时间为200 nsec、暗电流为10至50 nA、电容为40至60 PF、响应度/光敏度为0.02至0.2 A/W的光学检测器。

来自Inphenix的IPSDD0701是中心波长为750nm的超发光二极管（SLD）。它在单模操作中提供3mW的输出功率，10nm的光学带宽，并具有可选的后腔镜。该SLD具有高达0.20dB的剩余光谱调制深度和10kOhm的热敏电阻。它具有3.6 V的TeV驱动电压和1.5 A的TEC驱动电流。该SLD可以在单模、多模或偏振模式下工作。它采用14引脚DIL/14引脚BUT/8引脚BUT封装，是宽带光源、光纤传感器、生物医学成像设备和Oct系统照明的理想选择。

Inphenix的IPSDD0702是超辐射发光二极管，波长为770至800 nm，输出功率为1至3 MW，带宽（FWHM）为10至12 nm，工作电流为150至200 mA，正向电流为220 mA（最大电流）。有关IPSDD0702的更多详细信息，请联系我们。

来自Inphenix的IPSDD0703是波长为740至770 nm、输出功率为4至8 MW、带宽（FWHM）为11至14 nm、工作电流为120至200 mA、正向电流为200 mA（最大电流）的超辐射发光二极管。有关IPSDD0703的更多详细信息，请联系我们。

来自Inphenix的IPSDD0704是波长为740至770 nm、输出功率为3至5 MW、带宽（FWHM）为18至20 nm、工作电流为150至200 mA、正向电流为200 mA（最大电流）的超辐射发光二极管。有关IPSDD0704的更多详细信息，请联系我们。

Inphenix的IPSDD0705是一款超辐射发光二极管，波长为760至780 nm，输出功率为8 MW，带宽（FWHM）为15 nm，工作电流为180至250 mA，正向电流为270 mA（最大电流）。有关IPSDD0705的更多详细信息，请联系我们。

Inphenix的IPSDD0706是超辐射发光二极管，波长为760至780 nm，输出功率为5至8 MW，带宽（FWHM）为22至25 nm，工作电流为140至200 mA，正向电流为220 mA（最大电流）。有关IPSDD0706的更多详细信息，请联系我们。

Inphenix的IPSDD0707是超辐射发光二极管，波长为770至800 nm，输出功率为10至15 MW，带宽（FWHM）为15至18 nm，工作电流为180至250 mA，正向电流为270 mA（最大电流）。有关IPSDD0707的更多详细信息，请联系我们。

Inphenix的IPSDD0708是超辐射发光二极管，波长为770至800 nm，输出功率为4至5 MW，带宽（FWHM）为35至40 nm，工作电流为200至250 mA，正向电流为270 mA（最大电流）。有关IPSDD0708的更多详细信息，请联系我们。

来自Inphenix的IPSDD0801是波长为805至830 nm的超辐射发光二极管，输出功率为0.3 MW，带宽（FWHM）为15 nm，工作电流为120至150 mA，正向电流为200 mA（最大电流）。有关IPSDD0801的更多详细信息，请联系我们。

来自Inphenix的IPSDD0802是波长为805至830 nm、输出功率为2至2.5 MW、带宽（FWHM）为22至25 nm、工作电流为140至160 mA、正向电流为200 mA（最大电流）的超辐射发光二极管。有关IPSDD0802的更多详细信息，请联系我们。

来自Inphenix的IPSDD0803是波长为805至830 nm、输出功率为4至5 MW、带宽（FWHM）为35至40 nm、工作电流为180至250 mA、正向电流为280 mA（最大电流）的超辐射发光二极管。有关IPSDD0803的更多详细信息，请联系我们。

来自Inphenix的IPSDD0804是波长为830至850 nm、输出功率为4至5 MW、带宽（FWHM）为32至35 nm、工作电流为160至250 mA、正向电流为300 mA（最大电流）的超辐射发光二极管。有关IPSDD0804的更多详细信息，请联系我们。

Inphenix的IPSDD0805是一种超辐射发光二极管，波长为870至890 nm，输出功率为5至6 MW，带宽（FWHM）为42至45 nm，工作电流为200至250 mA，正向电流为300 mA（最大电流）。有关IPSDD0805的更多详细信息，请联系我们。

来自Inphenix的IPSDD0806是波长为870至890 nm、输出功率为1.5至2 MW、带宽（FWHM）为38至40 nm、工作电流为180至250 mA、正向电流为300 mA（最大电流）的超辐射发光二极管。有关IPSDD0806的更多详细信息，请联系我们。

Inphenix的IPSDD0807是一款超辐射发光二极管，波长为830至850 nm，输出功率为8 MW，带宽（FWHM）为42至45 nm，工作电流为200至300 mA，正向电流为350 mA（最大电流）。有关IPSDD0807的更多详细信息，请联系我们。

来自Inphenix的IPSDD0808是波长为830至850 nm、输出功率为10至11 MW、带宽（FWHM）为42至45 nm、工作电流为250至350 mA、正向电流为400 mA（最大电流）的超辐射发光二极管。有关IPSDD0808的更多详细信息，请联系我们。

Inphenix的IPSDD0809是一种超辐射发光二极管，波长为790至815 nm，输出功率为12至15 MW，带宽（FWHM）为8至10 nm，工作电流为200至250 mA，正向电流为280 mA（最大电流）。有关IPSDD0809的更多详细信息，请联系我们。