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IPSDD0807 超辐射发光二极管
精品

IPSDD0807

分类: 超辐射发光二极管

厂家: InPhenix

产地: 美国

型号: IPSDD0807

更新时间: 2024-08-25 01:49:19

生物医学成像 高输出功率 光电设备 超发光二极管 宽光谱带宽 OCT诊断系统

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device

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概述

Inphenix的IPSDD0807是一款超辐射发光二极管,波长为830至850 nm,输出功率为8 MW,带宽(FWHM)为42至45 nm,工作电流为200至300 mA,正向电流为350 mA(最大电流)。有关IPSDD0807的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 光纤模式 / Fiber Mode : SMF/PMF/MMF
  • 类型 / Type : Fiber-Coupled SLED

应用

1. 宽带光源 2. 分布式光纤传感器(FOS) 3. 生物医学成像设备 4. OCT诊断系统

特征

1. 宽光谱带宽 2. 非常低的光谱波动 3. 在单模或偏振保持光纤中具有高输出功率

详述

INPHENIX的超发光二极管设备(IPSDD0807)是一种高性能光电设备,具有宽光谱带宽、非常低的光谱波动和在单模或偏振保持光纤中具有高输出功率的特点。它适用于宽带光源、分布式光纤传感器(FOS)、生物医学成像设备和OCT诊断系统等多种应用场景。其技术参数包括中心波长范围为830nm到850nm,3dB带宽为42nm到45nm,单模光纤输出功率为8mW,光谱调制深度为0.1dB到0.2dB,工作电流为200mA到300mA等。该设备的封装类型包括14-pin DIL、14-pin BUT和8-pin BUT,光纤类型有SMF、PMF和MMF可选。

规格书

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厂家介绍

Inphenix是一家总部位于加利福尼亚州利弗莫尔的私人控股公司,设计和制造有源光电元件和模块。我们通过ISO 9001:2008认证的工厂包括较先进的晶圆厂、具有完整封装能力的生产区和能够测试从芯片级到模块级产品的测试区。我们较先进的设计和制造技术确保符合Telcordia GR-486-CORE的要求。Inphenix从前端到后端的完整功能是我们为客户提供的关键优势。

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