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IPSDD0806 超辐射发光二极管
精品

IPSDD0806

分类: 超辐射发光二极管

厂家: InPhenix

产地: 美国

型号: IPSDD0806

更新时间: 2024-08-27 11:09:06

光学相干断层扫描 生物医学成像 高输出功率 光纤传感器 宽光谱带宽

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device

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概述

来自Inphenix的IPSDD0806是波长为870至890 nm、输出功率为1.5至2 MW、带宽(FWHM)为38至40 nm、工作电流为180至250 mA、正向电流为300 mA(最大电流)的超辐射发光二极管。有关IPSDD0806的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 光纤模式 / Fiber Mode : SMF/PMF/MMF
  • 类型 / Type : Fiber-Coupled SLED

应用

1. 宽带光源 2. 光纤传感器系统 3. 生物医学成像设备 4. 光学相干断层扫描诊断系统

特征

1. 宽光谱带宽 2. 非常低的光谱波动 3. SM或PM光纤中的高输出功率

详述

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device IPSDD0806 (880nm) 是由INPHENIX公司生产的一款高性能光电二极管。该产品具有宽光谱带宽、非常低的光谱波动和高输出功率等特点,广泛应用于宽带光源、光纤传感器系统、生物医学成像设备和光学相干断层扫描诊断系统。其中心波长在870-890nm之间,3dB带宽为38-40nm,输出功率在1.5-2mW之间。该产品支持多种光纤类型和封装类型,适应不同应用需求。INPHENIX提供多种型号选择,并可根据客户需求提供定制服务。

规格书

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厂家介绍

Inphenix是一家总部位于加利福尼亚州利弗莫尔的私人控股公司,设计和制造有源光电元件和模块。我们通过ISO 9001:2008认证的工厂包括较先进的晶圆厂、具有完整封装能力的生产区和能够测试从芯片级到模块级产品的测试区。我们较先进的设计和制造技术确保符合Telcordia GR-486-CORE的要求。Inphenix从前端到后端的完整功能是我们为客户提供的关键优势。

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