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IPSDD0809 超辐射发光二极管
精品

IPSDD0809

分类: 超辐射发光二极管

厂家: InPhenix

产地: 美国

型号: IPSDD0809

更新时间: 2024-08-26 04:07:33

光学相干断层扫描 生物医学成像 高输出功率 光纤传感器 宽光学带宽

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device

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概述

Inphenix的IPSDD0809是一种超辐射发光二极管,波长为790至815 nm,输出功率为12至15 MW,带宽(FWHM)为8至10 nm,工作电流为200至250 mA,正向电流为280 mA(最大电流)。有关IPSDD0809的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 光纤模式 / Fiber Mode : SMF/PMF/MMF
  • 类型 / Type : Fiber-Coupled SLED

应用

1. 宽带光源 2. 光纤传感器(FOS) 3. 生物医学成像设备 4. 光学相干断层扫描(OCT)

特征

1. 宽光学带宽 2. 极低光谱波动 3. 高输出功率在SM或PM光纤中

详述

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device (IPSDD0809, 800nm) 是一款先进的光电产品,具有宽光学带宽、极低光谱波动和高输出功率。该设备适用于多种应用场景,包括宽带光源、光纤传感器、生物医学成像设备和光学相干断层扫描。其技术参数显示了其在不同温度和电流条件下的稳定性和高性能输出。这款产品的多种封装和光纤类型选择,使其在实际应用中具有高度的灵活性和适应性。

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厂家介绍

Inphenix是一家总部位于加利福尼亚州利弗莫尔的私人控股公司,设计和制造有源光电元件和模块。我们通过ISO 9001:2008认证的工厂包括较先进的晶圆厂、具有完整封装能力的生产区和能够测试从芯片级到模块级产品的测试区。我们较先进的设计和制造技术确保符合Telcordia GR-486-CORE的要求。Inphenix从前端到后端的完整功能是我们为客户提供的关键优势。

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