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IPSDD0803 超辐射发光二极管
精品

IPSDD0803

分类: 超辐射发光二极管

厂家: InPhenix

产地: 美国

型号: IPSDD0803

更新时间: 2024-07-13 16:48:00

光学相干断层扫描 生物医学成像 高输出功率 光纤传感器 低光谱波动 超宽带光源

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device

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概述

来自Inphenix的IPSDD0803是波长为805至830 nm、输出功率为4至5 MW、带宽(FWHM)为35至40 nm、工作电流为180至250 mA、正向电流为280 mA(最大电流)的超辐射发光二极管。有关IPSDD0803的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 光纤模式 / Fiber Mode : SMF/PMF/MMF
  • 类型 / Type : Fiber-Coupled SLED

应用

1. 非相干光源 2. 光纤传感器 (FOS) 3. 生物医学成像设备 4. 光学相干断层扫描 (OCT)

特征

1. 宽光谱带宽 2. 非常低的光谱波动 3. SM或PM光纤中的高输出功率

详述

INPHENIX的Super-Luminescent Light Emitting Diode Device IPSDD0803是一款高性能的光源器件,具有宽光谱带宽和非常低的光谱波动,能够在SM或PM光纤中提供高输出功率。该产品适用于多种应用场景,包括非相干光源、光纤传感器、生物医学成像设备和光学相干断层扫描。其技术参数包括中心波长为805-830nm,3dB带宽为35-40nm,输出功率为4-5mW,工作电流为180-250mA等。该产品采用14-pin DIL、14-pin BUT或8-pin BUT封装,具有良好的热管理和稳定性。

规格书

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厂家介绍

Inphenix是一家总部位于加利福尼亚州利弗莫尔的私人控股公司,设计和制造有源光电元件和模块。我们通过ISO 9001:2008认证的工厂包括较先进的晶圆厂、具有完整封装能力的生产区和能够测试从芯片级到模块级产品的测试区。我们较先进的设计和制造技术确保符合Telcordia GR-486-CORE的要求。Inphenix从前端到后端的完整功能是我们为客户提供的关键优势。

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