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IPSDD0801 超辐射发光二极管
精品

IPSDD0801

分类: 超辐射发光二极管

厂家: InPhenix

产地: 美国

型号: IPSDD0801

更新时间: 2024-08-30 14:35:39

光学相干断层扫描 生物医学成像 光纤传感器 光电传感器 非相干光

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device

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概述

来自Inphenix的IPSDD0801是波长为805至830 nm的超辐射发光二极管,输出功率为0.3 MW,带宽(FWHM)为15 nm,工作电流为120至150 mA,正向电流为200 mA(最大电流)。有关IPSDD0801的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 光纤模式 / Fiber Mode : SMF/PMF/MMF
  • 类型 / Type : Fiber-Coupled SLED

应用

1. 非相干光 2.光纤传感器(FOS) 3.生物医学成像设备 4.光学相干断层扫描(OCT)

特征

1.宽光学带宽 2.非常低的光谱波动 3.在单模或保偏光纤中具有高输出功率

详述

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device IPSDD0801 (820nm) 是由INPHENIX公司生产的一款高性能光电产品,具有宽光学带宽、非常低的光谱波动和高输出功率等特点。该产品主要应用于非相干光、光纤传感器、生物医学成像设备和光学相干断层扫描等领域。其重要参数包括中心波长805-830nm、3dB带宽15nm、单模光纤输出功率0.3mW、工作电流120-150mA等。该产品的封装形式多样,包括14-pin DIL、14-pin BUT和8-pin BUT等。

规格书

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厂家介绍

Inphenix是一家总部位于加利福尼亚州利弗莫尔的私人控股公司,设计和制造有源光电元件和模块。我们通过ISO 9001:2008认证的工厂包括较先进的晶圆厂、具有完整封装能力的生产区和能够测试从芯片级到模块级产品的测试区。我们较先进的设计和制造技术确保符合Telcordia GR-486-CORE的要求。Inphenix从前端到后端的完整功能是我们为客户提供的关键优势。

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