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IPSDD0802 超辐射发光二极管
精品

IPSDD0802

分类: 超辐射发光二极管

厂家: InPhenix

产地: 美国

型号: IPSDD0802

更新时间: 2024-08-27 16:14:35

光学相干断层扫描 生物医学成像 高输出功率 光纤传感器 低光谱波动 宽光学带宽

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device

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概述

来自Inphenix的IPSDD0802是波长为805至830 nm、输出功率为2至2.5 MW、带宽(FWHM)为22至25 nm、工作电流为140至160 mA、正向电流为200 mA(最大电流)的超辐射发光二极管。有关IPSDD0802的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 光纤模式 / Fiber Mode : SMF/PMF/MMF
  • 类型 / Type : Fiber-Coupled SLED

应用

1. 非相干光 2. 光纤传感器 (FOS) 3. 生物医学成像设备 4. 光学相干断层扫描 (OCT)

特征

1. 宽光学带宽 2. 非常低的光谱波动 3. 高输出功率在SM或PM光纤中

详述

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device (IPSDD0802) 是由INPHENIX公司生产的一款高性能光电器件。该产品具有宽光学带宽、非常低的光谱波动和高输出功率,适用于非相干光、光纤传感器、生物医学成像和光学相干断层扫描等多种应用场景。其中心波长范围为805-830nm,3dB带宽为22-25nm,工作电流为140-160mA,最大电流为200mA,适用的工作温度范围为-20°C到70°C。该产品提供多种封装类型和光纤类型选择,能够满足不同客户的需求。

规格书

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厂家介绍

Inphenix是一家总部位于加利福尼亚州利弗莫尔的私人控股公司,设计和制造有源光电元件和模块。我们通过ISO 9001:2008认证的工厂包括较先进的晶圆厂、具有完整封装能力的生产区和能够测试从芯片级到模块级产品的测试区。我们较先进的设计和制造技术确保符合Telcordia GR-486-CORE的要求。Inphenix从前端到后端的完整功能是我们为客户提供的关键优势。

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