• C30950EH 硅雪崩光电二极管前置放大器模块 科学和工业相机
    系统带宽: DC-50MHz/100MHz/200MHz 噪声等效功率: 0.029pW/√Hz@900nm(50MHz)/0.057pW/√Hz@830nm(100MHz)/0.120pW/√Hz@830nm(200MHz) 光谱响应范围: 400-1000nm 功率: 60mW(typ.) 放大器工作电压范围: 广泛

    C30950EH是一款硅雪崩光电二极管前置放大器模块,采用单一改良的12引脚TO-8封装。

  • C30659-UV-1 带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管(Si APD) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 1x1mm² 带宽范围: 50MHz 工作电压温度系数: 1.0V/°C 指定响应度的Vop: 350-430V 温度传感器灵敏度: -1.8 to -2.4mV/°C

    Excelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器,封装在同一密封的TO-8封装中,以实现超低噪声操作。

  • C30659 Series(系列)带混合前置放大器的硅(Si)或InGaAs雪崩光电二极管(APD) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光谱响应范围: Si APD: 400nm-1100nm, InGaAs APD: 1100nm-1700nm 系统带宽: 50MHz和200MHz 典型功耗: 150mW 放大器工作电压范围: ±5V AC负载能力: 50Ω (AC-Coupled)

    Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管(APD)与混合前置放大器,在同一个密封的TO-8封装中,以实现超低噪声操作。

  • C30737CH Series 硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-160Volts 工作电压: 100-150Volts 增益: M=100 响应度: 35A/W@635nm

    C30737CH系列硅雪崩光电二极管采用'侧视'LLC SMD封装,适用于高容量激光测距、区域扫描和手势识别应用。

  • C30737LH-300-7XN Series 低电容硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-165Volts 工作电压: 95-155Volts 增益: M=1@Vr=10V 温度系数: 0.6V/°C

    Excelitas Technologies的C30737LH-300-7XN系列是一款低电容硅雪崩光电二极管,封装在无引脚陶瓷载体SMT封装中,适用于高体积激光测距和测距应用。

  • LLAM Series – 900/1060/1060E/1550/1550E 硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 V

    Excelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块集成了APD、热电制冷器(TEC)以及放大电路,所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。

  • C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 封装: TO-18 Hermetic/TO-18 with Filter/TO-18 Plastic 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200V

    Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管(APD)设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度,并具有大约5纳秒的上升和下降时间,下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

  • C30737系列硅雪崩光电二极管(APDs) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 230μm/500μm 峰值灵敏度波长: 800nm/900nm 击穿电压: 120-210V/180-260V 温度系数: 0.5V/°C/1.3V/°C 增益: M@800nm/900nm

    Excelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管(APDs)适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用,提供500nm至1000nm范围内的高响应度。

  • SPCM-AQRH-TR 时间相关单光子计数和荧光寿命测量优化的单光子计数模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    活动区域直径: 170-180µm 光子探测效率: 75% 光子探测效率: 50% 暗计数: 1500Counts/second 暗计数: 1000Counts/second

    Excelitas Technologies的SPCM-AQRH-TR是一款针对时间分辨率优化的单光子计数模块,采用特选的SLiK硅雪崩光电二极管,具有优于250ps的模块时间分辨率,同时在650nm处保持超过75%的峰值光子探测效率,活动区域直径为180µm。

  • SPCM-AQ4C 四通道阵列单光子计数模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    供电电流: 1.0-3.0A@+2V, 0.20-1.0A@+5V, 0.01-0.04A@+30V 最大功率消耗: 2-6W@+2V, 1-5W@+5V, 0.3-1.2W@+30V 供电电压: 1.95-2.05V@+2V, 4.75-5.25V@+5V, 29-31V@+30V 外壳工作温度: 5-40ºC 每通道活动区域直径: 170-180µm

    SPCM-AQ4C是一款四通道阵列单光子计数模块,具有独立的硅雪崩光电二极管(SLiK),能在400nm至1060nm波长范围内检测单个光子。每个通道均独立。该模块具有热电冷却和温度控制功能,确保在环境温度变化时性能稳定。

  • C30954EH, C30955EH, C30956EH Series 长波长增强硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    形状: Circular 封装: TO-5/TO-8 有用面积: 0.5/1.77/7mm2 有用直径: 0.8/1.5/3mm 名义视场: 110/104/135Degrees

    Excelitas的C30954EH、C30955EH和C30956EH是采用双扩散“穿透”结构制成的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计使它们的长波响应(即>900nm)得到增强,同时保持低噪声、低电容以及快速上升和下降时间特性。

  • C30733BQC-01 高速、高增益且低噪声的InGaAs雪崩光电二极管 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 工作增益: 10-40 正向电流: 5mA

    Excelitas Technologies的C30733BQC-01 Pigtailed InGaAs APD是一款高速、高增益且低噪声的InGaAs雪崩光电二极管,专为光纤时域反射仪(OTDR)等电信测试设备应用而设计。

  • C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 响应度: 9.4A/W 工作增益: 10-20

    Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs,提供高量子效率和低噪声的高响应度。

  • C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动直径: 80-200µm 击穿电压: 45-70V 工作点偏离击穿电压: 4.0V (C30662EH-1@ M=10) 温度系数: 0.14-0.20V/deg C 响应度: 9.3A/W

    Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长,适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

  • C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有用面积: 1.77mm2 有用直径: 1.55mm 击穿电压: 350-485V 增益: 100 量子效率: 85%

    C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管,采用双扩散“穿透”结构,优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区,因此在视线中心没有响应损失。

  • CIPRM系列相干 InGaAs PIN 平衡接收器模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    波长范围: 800-1700nm 上升时间: 2ns 输出阻抗: 50Ω

    Excelitas公司的CIPRM系列是一款基于高性能InGaAs光电二极管和低噪声、高增益的跨阻放大器,专为检测干扰噪声层上方的微小变化而设计的平衡光接收器。该系列产品具有优良的共模抑制比(CMRR),适用于恶劣环境,且符合RoHS指令。

  • FCI-InGaAs-300B1XX 多功能背面照射型光电二极管/阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

  • YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2

    SPOT-YAG系列是1064纳米的钕:钇铝石榴石优化的四象限光电二极管,非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计,用于收集在活动区域外部产生的电流,以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间,非常适合低光强度测量,因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式(无偏)下运行,适用于需要低噪声的应用,也可以在光导模式(有偏)下操作,适用于高速、瞄准和指向应用。

  • APD Series 8-150 硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 0.2-5.0mm 活动区域: 0.03-19.6mm² 存储温度最小值: -55°C 存储温度最大值: +125°C 工作温度最小值: -40°C

    APD Series 8-150硅雪崩光电二极管,波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流,适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。

  • Back-llluminated 背光硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -10V 工作温度: -20ºC~+60ºC 存储温度: -20ºC~+80ºC 响应度@540nm: 0.30~0.35A/W 响应度@920nm: 0.53~0.59A/W

    Back-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。